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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD600	文件：94.99 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications Features · High breakdown voltage VCEO 100/120V, High current 1A. · Low saturation voltage, excellent hFE linearity. 文件：94.99 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SD600	文件：106.11 Kbytes Page：3 Pages	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amp Applications 1. High breakdown voltage V CEO 100/120V, High current 1A. 2. Low saturation voltage, excellent hFElinearity. 文件：106.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD600	文件：201.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：201.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SD600	文件：156.6 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：156.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD600	文件：168.22 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：168.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SD600	文件：126.37 Kbytes Page：4 Pages	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications 文件：126.37 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD600	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SD600K	文件：201.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：201.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SD600K	文件：156.6 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB631/631K ·High breakdown voltage VCEO100/120V ·High current 1A ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：156.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD600K	文件：106.11 Kbytes Page：3 Pages	100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amp Applications 1. High breakdown voltage V CEO 100/120V, High current 1A. 2. Low saturation voltage, excellent hFElinearity. 文件：106.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO

晶體管資料

型號(hào)：
2SD600
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開(kāi)關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
130MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BD139,BD230,BD379,2SD1684,3DD153B,
最大耗散功率：
8W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-21
vtest：
100
htest：
130000000
atest：
1
wtest：
8

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SD600
制造商：
SANYO
制造商全稱(chēng)：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amp Applications

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD600	飛利蒲	24+	TO-126	5000		詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SD600	SANYO/三洋	22+	TO-126	6000	十年配單,只做原裝	詢(xún)價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	2SD600		22+	TO126	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢(xún)價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SD600		23+	TO126	24800	正品原裝貨價(jià)格低	詢(xún)價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	2SD600KE	SANYO	17+	TO-126	6200		詢(xún)價(jià)
深圳市利加科技有限公司	2SD600K	SAY	16+	T0-126	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	2SD600K-Y	SANYO	23+	TO-126F	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!	詢(xún)價(jià)
深圳市納立科技有限公司	2SD600KF		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SD600K	ISC	20+	TO-126	15800	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢(xún)價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	2SD600E	SANYO/三洋	2022+		3350	全新原裝貨期兩周	詢(xún)價(jià)

更多2SD600供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 16:30:00

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