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2SD313 | 絲?。?strong>2SD313；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A Complementray to PNP 2SB507 文件：1.02553 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages | DGNJDZ 南晶電子 | DGNJDZ | |
2SD313 | 絲印：2SD313；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A Complementray to PNP 2SB507 文件：1.02553 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages | DGNJDZ 南晶電子 | DGNJDZ | |
2SD313 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB507 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier 文件：93.73 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
2SD313 | TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A ● DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A ● Complementray to PNP 2SB507 文件：605.08 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | JIANGSU 長電科技 | JIANGSU | |
2SD313 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB507 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier 文件：101.69 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2SD313 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complement to 2SB507 文件：30.57 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | WINGS 永盛電子 | WINGS | |
2SD313 | TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.14 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | WINNERJOIN 永而佳 | WINNERJOIN | |
2SD313 | Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Features Low Current Low Voltage. Applications Low frequency power amplifier applications. 文件：610.01 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | FOSHAN 藍(lán)箭電子 | FOSHAN | |
2SD313 | Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：54.65 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | TEL | TEL | |
2SD313 | PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE Planar Rtpe Silicon Transistor For AF POWER Amplifier Use 文件：42.21 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SANYO 三洋 | SANYO |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
3A
- 最大工作頻率：
8MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BDY241A,BD243A,BD535,BD539A,BD577,BD935,D651,3DA4306,3DD30A,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-90
- vtest：
60
- htest：
8000000
- atest：
3
- wtest：
30
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
2SD313
- 制造商：
SANYO
- 制造商全稱：
Sanyo Semicon Device
- 功能描述：
PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220 |
45000 |
ONSEMI/安森美全新現(xiàn)貨2SD313即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂 |
詢價 | ||
24+ |
47 |
詢價 | |||||
SANYO |
16+ |
NA |
8800 |
原裝現(xiàn)貨,貨真價優(yōu) |
詢價 | ||
ISKRA |
24+ |
原廠封裝 |
1700 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
FSC |
23+ |
TO-220 |
20000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
FSC |
25+ |
TO220 |
5000 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
長電 |
25+23+ |
TO-220-3L |
24803 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
HSMC |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
CJ/長電 |
21+ |
TO-220-3L |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
FSC |
1922+ |
TO-220 |
6896 |
原裝進口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨 |
詢價 |
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