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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD313 is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. 文件：49.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | UTC 友順 | UTC | ||
PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE Planar Rtpe Silicon Transistor For AF POWER Amplifier Use 文件：42.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
POWER TRANSISTORS(3A,60V,30W) 3 AMPERE POWER TRANSISTOR 60 VOLT 30 WATTS 文件：115.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | MOSPEC 統(tǒng)懋 | MOSPEC | ||
NPN Silicon Epitaxial Power Transistor Features: * DC Current Gain hFE = 40-320 @IC = 1.0A * Low VCE(sat) ≤ 1.0V(MAX) @IC = 2.0A, IB = 0.2A * Complememtary to NPN 2SB507 文件：201.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | WEITRON | WEITRON | ||
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general-purpose amplifier and switching applications. 文件：194.98 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | DCCOM 道全 | DCCOM | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB507 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier 文件：93.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | ISC 無(wú)錫固電 | ISC | ||
TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A ● DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A ● Complementray to PNP 2SB507 文件：605.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | JIANGSU 長(zhǎng)電科技 | JIANGSU | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB507 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier 文件：101.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complement to 2SB507 文件：30.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | WINGS 永盛電子 | WINGS | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2sd313/marking.html">2SD313；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A Complementray to PNP 2SB507 文件：1.02553 Mbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | DGNJDZ 南晶電子 | DGNJDZ |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
3A
- 最大工作頻率：
8MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDY241A,BD243A,BD535,BD539A,BD577,BD935,D651,3DA4306,3DD30A,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-11
- vtest：
60
- htest：
8000000
- atest：
3
- wtest：
30
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2SD31
- 制造商：
Distributed By MCM
- 功能描述：
SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-220AB
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
SAY |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
SON |
23+ |
TO |
20000 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢價(jià) | ||
SANYO |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
NEC |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
200 |
原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
67500 |
鐵帽原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
38 |
TO-3 |
200 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2023+ |
TO-3 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
TO-3 |
200 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
TO-3 |
20000 |
公司只有原裝 品質(zhì)保證 |
詢價(jià) |
