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首頁 >2SD24>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD2444K	文件：69.33 Kbytes Page：3 Pages	絲印：BSR；Package：SOT-346；Power Transistor (15V, 1A) Features 1) Low saturation voltage, VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2) IC=1A. 3) Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：69.33 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2444K	文件：1.64723 Mbytes Page：7 Pages	Power Transistor (15V,1A) Features 1)Low saturation voltage, 　 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2)IC=1A. 3)Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：1.64723 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2444K	文件：35.61 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ● IC = 1A. ● Low saturation voltage. 文件：35.61 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD2444K_V01	文件：1.64723 Mbytes Page：7 Pages	Power Transistor (15V,1A) Features 1)Low saturation voltage, 　 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2)IC=1A. 3)Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：1.64723 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2444KT146R	文件：1.64723 Mbytes Page：7 Pages	Power Transistor (15V,1A) Features 1)Low saturation voltage, 　 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2)IC=1A. 3)Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：1.64723 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2449	文件：137.74 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE Power Amplifier Applications ● High breakdown voltage: VCEO = 160 V (min) ● Complementary to 2SB1594 文件：137.74 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SD2449	文件：248.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 160V(Min) ·High DC Current Gain-: hFE= 3000( Min.) @(IC= 8A, VCE= 5V) ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 3.0V(Max)@ (IC= 8A, IB= 8mA) B ·Complement to Type 2SB1594 APPLICATIONS ·Designed for power amplifie 文件：248.73 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD2453	文件：40.36 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Features ● High forward current transfer ratio hFE. ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). 文件：40.36 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD2453	文件：77.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Silicon NPN triple diffusion planar type For high current transfer ratio and power amplification ■ Features ? High forward current transfer ratio hFE ? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 文件：77.78 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2454	文件：295.92 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3P(H)IS package ? High voltage ;high speed ? Low saturation voltage ? Built-in damper diode APPLICATIONS ? Horizontal deflection output for color TV 文件：295.92 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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晶體管資料

型號：
2SD2425
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質：
表面帖裝型（SMD）_開關管（S）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SD2098,2SD2402,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-100
vtest：
60
htest：
999900
atest：
5
wtest：
0

技術參數(shù)

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
60
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
5
VCE(sat) (V) max.：
0.3
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
2
Package Type：
MP-2
Production Status：
Non-promotion

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	2SD2425	RENESAS/瑞薩	25+	SOT-89	20300	RENESAS/瑞薩原裝特價2SD2425即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
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更多2SD24供應商更新時間2026-1-19 11:17:00

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