| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Power Transistor Power Transistor 文件：39.82 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SANKEN 三墾 | SANKEN | ||
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE SWITCHING DESCRIPTION The 2SD2383 is an element realizing high voltage in small dimension. This transistor is ideal for downsizing sets requiring high voltage. FEATURES ? High voltage ? Small dimension 文件：114.47 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | NEC 瑞薩 | NEC | ||
SILICON TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE SWITCHING 文件：247.17 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | ||
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@IC= 6A ·Complement to Type 2SB1555 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications 文件：245.52 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
NPN TRIPLI DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications ? High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) ? Complementary to 2SB1555 文件：139.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | ||
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications High breakdown voltage: VCEO= 140 V (min) Complementary to 2SB1556 文件：139.34 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | ||
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@IC= 7A ·Complement to Type 2SB1556 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications 文件：245.52 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
NPN TRIPLI DIFFUSED TYPE ( POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications ? High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) ? Complementary to 2SB1557 文件：137.63 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | ||
Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3P(I) package ? Complement to type 2SB1557 ? High breakdown voltage:VCEO=140V(Min) APPLICATIONS ? Power amplifier applications 文件：126.36 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3P(I) package ? Complement to type 2SB1557 ? High breakdown voltage:VCEO=140V(Min) APPLICATIONS ? Power amplifier applications 文件：83.49 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
140V
- 最大電流允許值：
7A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SD2222,2SD2250,2SD2276,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍數(shù)：
β>5000
- 圖片代號：
B-62
- vtest：
140
- htest：
999900
- atest：
7
- wtest：
100
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
17+ |
TO-3PL |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
23+ |
TO |
20000 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | |||
TOS |
24+ |
TO-3P |
1850 |
詢價 | |||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳 |
詢價 | ||
SANKEN |
25+ |
TO-3P |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
24+ |
TO-220 |
3200 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
詢價 | ||
SANKEN |
17+ |
TO247 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
SANKEN |
2016+ |
TO247 |
6000 |
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
SK |
24+ |
原廠封裝 |
4000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |
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