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首頁 >2SD221>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD221	文件：37.73 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistor 文件：37.73 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2SD2210	文件：42.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) Silicon NPN epitaxial planer type For low-voltage output amplification For muting For DC-DC converter ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● Low ON resistance Ron. ● High foward current transfer ratio hFE. 文件：42.09 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2210	文件：53.28 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ● Low on resistance ron. ● High forward current transfer ratio hFE. 文件：53.28 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD2211	文件：51.69 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor Features High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) High transition frequency.(fT = 80MHZ) 文件：51.69 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD2211	文件：138.4 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (160V , 1.5A) 文件：138.4 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2212	文件：89.73 Kbytes Page：4 Pages	絲印：DR；Package：SOT-89；Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60?10V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 文件：89.73 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2212T100	文件：107.08 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60V,10V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 文件：107.08 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2213	文件：160.55 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application Low frequency power amplifier 文件：160.55 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD2213	文件：32.82 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application Low frequency power amplifier 文件：32.82 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2213TZ	文件：160.55 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial, Darlington Application Low frequency power amplifier 文件：160.55 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

晶體管資料

型號：
2SD221
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關管（S）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
110V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC141,BC300,BSX47,BSW39,BSW67,2N1990,2N2102,2N2405,3DK10C,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
C-40
vtest：
110
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.5

技術參數(shù)

Status：
新設計非推薦
封裝：
MPT3
包裝數(shù)量：
1000
最小獨立包裝數(shù)量：
1000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
160.0
Collector current Io(Ic) [A]：
1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	2SD221	NEC	專業(yè)鐵帽	CAN3	25	原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨	詢價
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更多2SD221供應商更新時間2026-1-19 10:57:00

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