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首頁 >2SD211>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD2115S	文件：37.92 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ● Low frequency power amplifier. 文件：37.92 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD2116	文件：71.44 Kbytes Page：3 Pages	General Driver Applications??????? General Driver Applications Features ? Darlington connection. ? High DC current gain. ? Large current capacity, wide ASO. 文件：71.44 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD2117	文件：66.8 Kbytes Page：3 Pages	General Driver Applications????????? General Driver Applications Features ? Darlington connection. ? High DC current gain. ? Large current capacity, wide ASO. 文件：66.8 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD2118	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2118/marking.html">D2118；Package：SOT-428；Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD2118	文件：40.25 Kbytes Page：1 Pages	Low VCE(sat) Transistor Features Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. 文件：40.25 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD2118	文件：486 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.25V(Typ.) (IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics 文件：486 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2118	文件：298.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：298.33 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD2118	文件：279.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：279.28 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD2118-251	文件：298.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：298.33 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD2118-252	文件：279.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：279.28 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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晶體管資料

型號：
2SD211
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關管（S）_功率放大（L
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
10A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
2
可代換的型號：
BD130,BD311,BDW21A,BDX10,BDY20,BDY39,2N3055,2N5877,2N5878,3DA74A,
最大耗散功率：
100W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
E-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
10
wtest：
100

技術參數(shù)

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
NPN
V(BR)CEO(V)min.：
20
IC(A)：
0.5
hFEmin.：
300
hFEmax.：
2700
VCE (sat)(V)：
0.4
IB(mA)：
20
fT(MHz)min.：
350
PD(W)max.：
0.2
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
雙極型晶體管

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2SD211供應商更新時間2026-1-19 16:00:00

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