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首頁 >2SD1899>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD1899-L	文件：661.39 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ? Halogen free available upon request by adding suffix -HF ? Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ? Capable of 1.0Watts of Power Dissipation. ? Collector-current 3.0A ? Collector-base Voltage 60V ? Operating and storage juncti 文件：661.39 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MCC	MCC
2SD1899-M	文件：661.39 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ? Halogen free available upon request by adding suffix -HF ? Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ? Capable of 1.0Watts of Power Dissipation. ? Collector-current 3.0A ? Collector-base Voltage 60V ? Operating and storage juncti 文件：661.39 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MCC	MCC
2SD1899-Z	文件：1.35878 Mbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1899-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High hFE: hFE = 100 to 400 ? Low VCE(sat): VCE(sat) ≤ 0.25 V 文件：1.35878 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1899-Z	文件：275.97 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Low collector saturation voltage ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? High transition frequency applications 文件：275.97 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD1899-Z	文件：997.37 Kbytes Page：3 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High hFE ● Low VCE(sat) 文件：997.37 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JIANGSU 長(zhǎng)電科技	JIANGSU
2SD1899-Z	文件：43.58 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● Low VCE(sat). ● High hFE. 文件：43.58 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD1899-Z	文件：56.9 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM: 2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：56.9 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TEL	TEL
2SD1899-Z	文件：291.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION 2SD1899-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High hFE hFE = 100 to 400 ? Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.3 VCE 文件：291.06 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SD1899-Z_15	文件：1.35878 Mbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：1.35878 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1899-K	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率雙極型晶體管	MCC 美微科	MCC

晶體管資料

型號(hào)：
2SD1899(Z)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
3A
最大工作頻率：
120MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SC3386,2SD1221,2SD1252,2SD1760,2DS1802,2DS1815,2SD1816,
最大耗散功率：
10W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-80
vtest：
60
htest：
120000000
atest：
3
wtest：
10

技術(shù)參數(shù)

Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
7
IC @25 °C (A)：
3
VCE (sat) (V)：
0.25
hFE：
100-400
Pc (W)：
10
fT (Typical) (GHz)：
0.12
Cob (Typical) (pF)：
30

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市訊順達(dá)科技有限公司	2SD1899	CJ	21+	TO-252-2L	30000	全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市東來寶電子科技有限公司	2SD1899	CJ	24+	TO252	960000	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	2SD1899	NK南科功率	2025+	TO-252	2500	國(guó)產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SD1899	CJ	23+	TO-252-2L	30000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	2SD1899	RENESAS		TO252	120000	原裝進(jìn)口中國(guó)百強(qiáng)元器件分銷企業(yè) 專注RENESAS十年公司大量RENESAS現(xiàn)貨歡迎您的咨詢百年不變服務(wù)至上	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD1899	NEC	24+		12473		詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	2SD1899	NEC	24+		8858	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存!	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2SD1899	NEC	24+	TO-252	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	2SD1899	CJ	23+	TO-252	30000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2SD1899	TO-252	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)

更多2SD1899供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 17:56:00

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