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2SD1898	文件：123 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTOR FEATURES * High VCEO= 80V * High IC= 1A (DC) * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT) * Complements the 2SB1260. 文件：123 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	UTC 友順	UTC
2SD1898	文件：112.11 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial Planar NPN Transistors Epitaxial Planar NPN Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：112.11 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD1898	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/df/marking.html">DF；Package：SOT-89；Power Transistor (80V, 1A) ● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181. 文件：89.47 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD1898	文件：112.31 Kbytes Page：4 Pages	絲印：DF；Package：SOT-89；Power Transistor (80V, 1A) ● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181. 文件：112.31 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD1898	文件：172.22 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor FEATURES ● High VCEO,VCEO=80V. ● High IC,IC=1A(DC). ● Good HFE Linearity. ● Low VCE(sat). ● Complement the 2SB1260. APPLICATIONS ● NPN silicon transistor. 文件：172.22 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
2SD1898	文件：317.24 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ● High Breakdown Voltage and Current ● Excellent DC Current Gain Linearity ● Complement the 2SB1260 ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：317.24 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	HTSEMI 金譽半導體	HTSEMI
2SD1898	文件：1.50291 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High Breakdown Voltage and Current ● Excellent DC Current Gain Linearity ● Complement the 2SB1260 ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：1.50291 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SD1898	文件：51.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ● High VCEO, VCEO=80V . ● High IC, IC=1A (DC) . ● Good hFE linearity . ● Low VCE (sat) . 文件：51.14 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD1898	文件：777.43 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/df/marking.html">DF；Package：SOT-89；Power Transistor(80V,1A) FEATURES High VCEO,VCEO=80V. High IC,IC=1A(DC). Good HFE Linearity. Low VCE(sat). Complement the 2SB1260. APPLICATIONS NPN silicon transistor. 文件：777.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SD1898	文件：176.86 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High VCEO ● High IC ● Good hFE linearity ● Low VCE (sat) 文件：176.86 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

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晶體管資料

型號：
2SD1898
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質：
表面帖裝型（SMD）_通用型（Uni）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
100MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BCX56,2SC2881,2SC3444,2SC3646,2SD874A,2SD1005,2SD1386,2SD1418,2SD1419,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-100
vtest：
100
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
0

技術參數(shù)

Status：
新設計非推薦
封裝：
MPT3
包裝數(shù)量：
1000
最小獨立包裝數(shù)量：
1000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
80.0
Collector current Io(Ic) [A]：
1.0
hFE：
120 to 390
hFE (Min.)：
120
hFE (Max.)：
390
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2SD1898	CJ	24+/25+	SOT89	30000	100%原裝正品真實庫存,支持實單	詢價
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更多2SD1898供應商更新時間2026-1-17 14:30:00

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