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首頁(yè) >2SD1781>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD1781	文件：78.24 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor 0.8A, 40V NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor FEATURES Very low VCE(sat).VCE(sat) 文件：78.24 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD1781	文件：1.64668 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Very low VCE(sat). VCE(sat) 文件：1.64668 Mbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SD1781	文件：828.97 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：828.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長(zhǎng)電科技	JIANGSU
2SD1781	文件：324.82 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/af/marking.html">AF；Package：SOT-23；Medium Power Transistor 文件：324.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	YFWDIODE 佑風(fēng)微	YFWDIODE
2SD1781	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	Willas 威倫電子	Willas
2SD1781	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN)	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
2SD1781	文件：300 bytes Page：1 Pages	32V,0.8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Galaxy 銀河微電	Galaxy
2SD1781A	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN Low Vce(sat) Transistor Features ? Silicon NPN epitaxial type ? Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA ? High collector current capability ? Excellent DC current gain characteristics ? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 ? Green molding compound as per IEC 61249 standard 文件：270.48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	PANJIT 強(qiáng)茂	PANJIT
2SD1781A_R1_00001	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d81/marking.html">D81；Package：SOT-23；NPN Low Vce(sat) Transistor Features ? Silicon NPN epitaxial type ? Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA ? High collector current capability ? Excellent DC current gain characteristics ? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 ? Green molding compound as per IEC 61249 standard 文件：270.48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	PANJIT 強(qiáng)茂	PANJIT
2SD1781A_R2_00001	文件：270.48 Kbytes Page：5 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d81/marking.html">D81；Package：SOT-23；NPN Low Vce(sat) Transistor Features ? Silicon NPN epitaxial type ? Low Vce(sat) 0.14V(max)@Ic/Ib= 1A/100mA ? High collector current capability ? Excellent DC current gain characteristics ? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 ? Green molding compound as per IEC 61249 standard 文件：270.48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	PANJIT 強(qiáng)茂	PANJIT

晶體管資料

型號(hào)：
2SD1781K
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_LO.SAT
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
40V
最大電流允許值：
0.8A
最大工作頻率：
150MHZ
引腳數(shù)：
4
可代換的型號(hào)：
BCW65,BCW66,BCX41,2SC4210,2SD596,2SD1328,BCW66,BCX41,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-15
vtest：
40
htest：
150000000
atest：
0.8
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

PCM(W)：
0.2
IC(A)：
0.8
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
32
VEBO(V)：
5
hFEMin：
120
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
3
hFE@IC(A)：
0.1
VCE(sat)(V)：
0.4
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
SOT-23

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多2SD1781供應(yīng)商更新時(shí)間2025-8-11 11:50:00

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