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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD1691	文件：150.24 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1691 is a low VCE(sat) transistor which has a large current capability and wide SOA. It is suitable for DC-DC converter, or driver of solenoid or motor. FEATURES ● Low Collector Saturation Voltage. VCE(sat) = 0.1 V TYP.(@IC/IB = 2.0 A/0.2 A) ● Large Current. IC(DC) 文件：150.24 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SD1691	文件：102.58 Kbytes Page：3 Pages	LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT ■ FEATURES * High Power Dissipation * Complementary to 2SB1151 文件：102.58 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	UTC 友順	UTC
2SD1691	文件：237.21 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR FEATURES ? Large current capacity and low VCE(sat): IC(DC) = 5.0 A, IC(pulse) = 8.0 A VCE(sat) = 0.1 V TYP. (@IC = 2.0 A, IB = 0.2 A) ? Large power dissipation TO-126 type power transistor PT = 1.3 W (@Ta = 25°C), 20 W (@Tc = 25°C) ? Complementary transistor: 2SB1151 文件：237.21 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1691	文件：311.47 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector Current -IC= 5A ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.3V(Max.)@ IC= 2A ·Complement to Type 2SB1151 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in DC-DC converter, or driver of sol 文件：311.47 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SD1691	文件：112.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB1151 ·Low saturation voltage ·High total power dissipation:PT=1.3W ·Large current capability and wide SOA APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Driver of solenoid or motor 文件：112.48 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1691	文件：59.69 Kbytes Page：1 Pages	It is intented for use in power amplifier and switching applications. DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：59.69 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TGS	TGS
2SD1691	文件：78.64 Kbytes Page：1 Pages	Complementary Silicon Power Ttransistors DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：78.64 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TGS	TGS
2SD1691	文件：114.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：114.1 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1691	文件：250.85 Kbytes Page：4 Pages	LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT 文件：250.85 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SD1691	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞薩	Renesas

晶體管資料

型號：
2SD1691
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
LO.SAT
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SD826,2SD1722,2SD1746,
最大耗散功率：
20W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
5
wtest：
20

技術(shù)參數(shù)

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
7
IC (A) @25 °C：
5
VCE(sat) (V) max.：
0.3
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
20
Package Type：
MP-5
Production Status：
EOL

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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