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首頁(yè) >2SD166>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD1662	文件：292.7 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) ·Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC= 15A) APPLICATIONS · Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications 文件：292.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SD1663	文件：248.76 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector-Base Breakdown Voltage-: V(BR)CBO= 1500V (Min.) ·High Switching Speed ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications. 文件：248.76 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SD1664	文件：755.08 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Low VCE(sat), VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complements to 2SB1132 文件：755.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	HTSEMI 金譽(yù)半導(dǎo)體	HTSEMI
2SD1664	文件：188.38 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD1664 is an epitaxial planar type NPN silicon transistor. FEATURES Low VCE(SAT): VCE (SAT)= 0.15V(Typ.) (IC/IB= 500mA/50mA) Complement the 2SB1132. 文件：188.38 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	UTC 友順	UTC
2SD1664	文件：278.75 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistors Features: * Low VCE(sat), VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) 文件：278.75 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD1664	文件：118.61 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dap/marking.html">DAP；Package：SOT-89；Medium Power Transistor (32V, 1A) Medium Power Transistor (32V, 1A) Features 1) Low VCE(sat) = 0.15V(Typ.) (lC / lB = 500mA / 50mA) 2) Compliments 2SB1132 / 2SB1237 文件：118.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SD1664	文件：365.37 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor Features Low VCE(sat) Compliments to 2SB1132 文件：365.37 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD1664	文件：118.74 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor Features Power dissipation PCM : 0.5 W (Tamb= 25oC) Collector current ICM : 1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating & Storage junction Temperature Tj, Tstg : -55 C~ +150 C O O 文件：118.74 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD1664	文件：496.35 Kbytes Page：4 Pages	絲印：DAP；Package：SOT-89；Medium Power Transistor(32V,1A) FEATURES Low saturation voltage:VCE(sat)=0.15V(typ.) (IC/iB=500mA/50mA) PC=0.5W Complement the 2SB1132. APPLICATIONS NPN silicon transistor. 文件：496.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SD1664	文件：126.65 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

晶體管資料

型號(hào)：
2SD1669
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）_LO.SAT
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
12A
最大工作頻率：
10MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SC3694,2SC4065,2SD1445A,
最大耗散功率：
30W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
B-45
vtest：
60
htest：
10000000
atest：
12
wtest：
30

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SD1669	SAY	17+	TO-220F	31518	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD1669		24+	TO-220F	10000	全新	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2SD1669	SAN	24+	原廠封裝	3500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SD1669	SANYO/三洋	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SD1669	NEC	25+	TO-TO-220F	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市博中泰實(shí)業(yè)有限公司	2SD1669功率三極管	SANYAN	24+	TO220F	60000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	2SD1670	NEC	2022+		20	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	2SD1671	NEC	2016+	TO-3P	3500	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	2SD1671	NEC	2447	TO-3P	100500	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SD1671		23+	TO	20000	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)

更多2SD166供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:03:00

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