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2SD1623T-TD-E分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2SD1623T-TD-E |
| 參數(shù)屬性 | 2SD1623T-TD-E 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 50V 2A PCP |
| 功能描述 | Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP |
| 封裝外殼 | TO-243AA |
| 文件大小 |
368.26 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導體 |
| 網址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2026-1-22 10:31:00 |
| 人工找貨 | 2SD1623T-TD-E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
2SD1623T-TD-E規(guī)格書詳情
2SD1623T-TD-E屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體制造生產的2SD1623T-TD-E晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。
特性 Features
? Adoption of FBET, MBIT processes
? Low collector-to-emitter saturation voltage
? Large current capacity and wide ASO
? Fast switching speed
? The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization
Applicaitons
? Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment
產品屬性
更多- 產品編號：
2SD1623T-TD-E
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
400mV @ 50mA，1A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，2V
- 頻率 - 躍遷：
150MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-243AA
- 供應商器件封裝：
PCP
- 描述：
TRANS NPN 50V 2A PCP
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
NA |
275000 |
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詢價 | |||
ONS |
24+ |
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ON/安森美 |
24+ |
84000 |
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ON/安森美 |
2022+ |
PCP-3 |
8000 |
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ON Semiconductor |
2010+ |
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安森美 |
25+ |
xx |
70000 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
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24+ |
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64000 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-89-3 |
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詢價 | ||
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23+ |
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50000 |
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