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首頁 >2SD1616A>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD1616A	文件：156.68 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The 2SD1616/2SD1616A are designed for use in driver and output stages of AF amplifier, general purpose application. 文件：156.68 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SD1616A	文件：145.22 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching 文件：145.22 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	UTC 友順	UTC
2SD1616A	文件：235.8 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTORS NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES ? Low VCE(sat): VCE(sat) = 0.15 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 50 mA) ? Large PT in small dimension with versatility PT = 0.75 W, VCEO = 50/60 V, IC(DC) = 1.0 A ? Complementary transistor with t 文件：235.8 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1616A	文件：1.28825 Mbytes Page：5 Pages	NPN Transistors NPN Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：1.28825 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD1616A	文件：149.41 Kbytes Page：2 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation 文件：149.41 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	DAYA 大亞電器	DAYA
2SD1616A	文件：232.41 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for audio frequency power amplifier and medium-speed switching applications. 文件：232.41 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SD1616A	文件：1.047099 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR（NPN） FEATURES ● Low collector saturation voltage ● High break down voltage ● High total power dissipation 文件：1.047099 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SD1616A	文件：111.43 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION 2SD1616A is NPN silicon planar transistor designed for use in driver and output stages of AF amplifier, general purpose application. 文件：111.43 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SD1616A	文件：346.75 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulated Transistor FEATURES ? Power dissipation 文件：346.75 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD1616A	文件：1.93904 Mbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1616a/marking.html">1616A；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low collector saturation voltage High break down voltage High total power dissipation 文件：1.93904 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ

晶體管資料

型號：
2SD1616A
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
LO.SAT
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
120V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
160MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SC3243,2SC4488,2SC4489,2SD592,2SD863,2SD1812,2SD1857,3DD1293M,3DK104B,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-20
vtest：
120
htest：
160000000
atest：
1
wtest：
0.75

技術(shù)參數(shù)

VCEO (V)：
60
hFE min.：
135
hFE max.：
400
Pc (W)：
0.75
Production Status：
EOL

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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