| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? High breakdown voltage ? High power dissipation APPLICATIONS ? Designed for line operated audio output amplifier ,and switching power supply drivers applications 文件：107.95 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-126 package ? DARLINGTON ? Complement to type 2SB1012 APPLICATIONS ? For low frequency power amplifier applications 文件：108.28 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1012(K) 文件：33.83 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-126 package ? DARLINGTON ? Complement to type 2SB1012 APPLICATIONS ? For low frequency power amplifier applications 文件：114.21 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1012(K) 文件：33.83 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·Low Saturation Voltage - : VCE(sat)= 0.4V(Max)@ IC= 0.5A ·Complement to Type 2SB1007 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：248.96 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
2SD1380
文件：108.27 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-126 package ? Complement to type 2SB1009 ? Low collector saturation voltage APPLICATIONS ? For low frequency power amplifier applications 文件：105.02 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-126 package ? Complement to type 2SB1009 ? Low collector saturation voltage APPLICATIONS ? For low frequency power amplifier applications 文件：120.81 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Power Transistor (80V, 1A) ● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181. 文件：89.47 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
1.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SD985,2SD986,2SD1438,2SD1741,2SD1953,2SD2019,
- 最大耗散功率：
20W
- 放大倍數(shù)：
β>2000
- 圖片代號：
B-21
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
20
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
日立 |
24+ |
TO-126 |
5000 |
詢價 | |||
HITACHI |
20+ |
TO-126 |
11520 |
特價全新原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
25+ |
TO-126 |
18000 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
HIT |
21+ |
TO126 |
1625 |
只做原裝正品,不止網(wǎng)上數(shù)量,歡迎電話微信查詢! |
詢價 | ||
HITACHI |
22+ |
TO-126 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO126 |
30000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 | ||
HIT |
03+ |
TO126 |
253 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
22+ |
TO126 |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
2023+ |
TO126 |
6893 |
十五年行業(yè)誠信經(jīng)營,專注全新正品 |
詢價 |
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