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        1. <del id="5lvfi"></del>
          

          
  
          
  
          
    
  
          
  
          
    
    
    
    
          
  
          

          

          
    
          
    
            
          
                
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          2SD113
          isc Silicon NPN Power Transistor
          
DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V (Min)

·High Power Dissipation

·High Current Capability


APPLICATIONS

·Audio power amplifier, power switching applications.

·DC-DC converter and regulator applications.
          文件：223.73 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          ISC
          無錫固電
          

          2SD113
          SI NPN POWER BJT, I(C) = 20 A TO 49.9 A
          文件：94.18 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages
          NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
          新澤西半導體新澤西半導體公司
          

          2SD113
          SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
          文件：51 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages
          ETCList of Unclassifed Manufacturers
          未分類制造商
          

          2SD113
          SI NPN POWER BJT, I(C) = 20 A TO 49.9 A
          NJS
          NJS
          

          2SD1133
          Silicon NPN Triple Diffused
          
Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858
          文件：145.98 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
          RENESAS
          瑞薩
          

          2SD1133
          Silicon NPN Triple Diffused
          
Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858
          文件：32.92 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
          HITACHIHitachi Semiconductor
          日立日立公司
          

          2SD1133
          Silicon NPN Power Transistors
          
DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB857/858


APPLICATIONS

·For low frequency power amplifier applications
          文件：126.14 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages
          SAVANTIC
          

          2SD1133
          isc Silicon NPN Power Transistor
          
DESCRIPTION

·Collector Current: IC= 4A

·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.0V(Max)@IC= 2A

·High Collector Power Dissipation

·Complement to Type 2SB857


APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.
          文件：111.26 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
          ISC
          無錫固電
          

          2SD1133K
          Silicon NPN Triple Diffused
          
Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858
          文件：145.98 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
          RENESAS
          瑞薩
          

          2SD1134
          Silicon NPN Triple Diffused
          
Application

Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858
          文件：145.98 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
          RENESAS
          瑞薩
          

          
            
          
		
        
          
            
          
                
          晶體管資料
          
            
          
            
            
				
          • 型號：
            2SD113

          • 別名：
            三極管、晶體管、晶體三極管
          • 生產(chǎn)廠家：
          • 制作材料：
            Si-NPN
          • 性質(zhì)：
            低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
          • 封裝形式：
            直插封裝
          • 極限工作電壓：
            100V
          • 最大電流允許值：
            30A
          • 最大工作頻率：
            1.5MHZ
          • 引腳數(shù)：
            2
          • 可代換的型號：
            BDW30,BDY29,BDY57,MJ802,2N6249,2N6259,2N6322,2SD797,3DD73D,
          • 最大耗散功率：
            200W
          • 放大倍數(shù)：
          • 圖片代號：
            E-44
          • vtest：
            100
          • htest：
            1500000
          • atest：
            30
          • wtest：
            200
          
            
          
        
          
		
        
          
            
          
                
          技術(shù)參數(shù)
          
            
          
            
            
            	
          • Configuration：
            Single
          • Material：
            Si
          • Maximum Collector Base Voltage：
            70V
          • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
            [email protected]@2AV
          • Maximum Collector Emitter Voltage：
            50V
          • Maximum DC Collector Current：
            4A
          • Maximum Emitter Base Voltage：
            5V
          • Maximum Operating Temperature：
            150°C
          • Maximum Power Dissipation：
            40000mW
          • Maximum Transition Frequency：
            7(Typ)MHz
          • Type：
            NPN
          
            
          
        
          
            
          供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
          
                
          



          		

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          23+
          		

          TO
          		

          20000
          		

          正品原裝貨價格低
          		
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          24+
          		

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              • <tfoot id="5lvfi"><menuitem id="5lvfi"></menuitem></tfoot>
                

                <th id="5lvfi"><progress id="5lvfi"></progress></th>
                  <strong id="5lvfi"><form id="5lvfi"></form></strong>
                  <strong id="5lvfi"><form id="5lvfi"></form></strong>
                  

                1. <del id="5lvfi"></del>
                  

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