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2SD1006	文件：223.61 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ???????● World Standard Miniature Package : SOT-89 ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) 文件：223.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SD1006	文件：1.72319 Mbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) : VCEO > 100 V (2SD1006) ● Compl 文件：1.72319 Mbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1006	文件：1.7232 Mbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) : VCEO > 100 V (2SD1006) ● Compl 文件：1.7232 Mbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1006	文件：52.01 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High collector to emitter voltage: VCEO > 100V. 文件：52.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD1006	文件：651.8 Kbytes Page：1 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/hm/marking.html">HM；Package：SOT-89；High collector to emitter vlotage Features High collector to emitter voltage: VCEO > 100V. 文件：651.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1006	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞薩	Renesas
2SD1006	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN小信號(hào)三極管	CBI 創(chuàng)基電子	CBI
2SD1006_15	文件：1.01839 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.01839 Mbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD1006_15	文件：1.7232 Mbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD 文件：1.7232 Mbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1006-HF_15	文件：1.24097 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.24097 Mbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN

技術(shù)參數(shù)

VCEO (V)：
100
IC @25 °C (A)：
0.7
VCE (sat) (V)：
0.6
hFE：
90-400
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.09
Cob (Typical) (pF)：
10

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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