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首頁 >2SD1005>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SD1005	文件：341.07 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1005 is designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. 文件：341.07 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SD1005	文件：150.35 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● High Collector to Base Voltage. ● Excellent DC Current Gain Linearity. ● Complements to PNP type 2SB804. 文件：150.35 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
2SD1005	文件：343.25 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● High Breakdown Voltage ● Excellent DC Current Gain Linearity 文件：343.25 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	HTSEMI 金譽(yù)半導(dǎo)體	HTSEMI
2SD1005	文件：1.20117 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● High Breakdown Voltage ● Excellent DC Current Gain Linearity 文件：1.20117 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SD1005	文件：52.27 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxia Features ● World standard miniature package: SOT-89. ● High collector to base voltage: VCBO 100V. ● Excellent dc current gain linearity: hFE=80TYP. (VCE=2V, IC=500mA). 文件：52.27 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SD1005	文件：211.74 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1005 is designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits.) 文件：211.74 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SD1005	文件：1.48222 Mbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bw/marking.html">BW；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Small Flat Package High Breakdown Voltage Excellent DC Current Gain Linearity 文件：1.48222 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SD1005	文件：669.22 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/hfe1/marking.html">HFE1；Package：SOT-89；NPN Medium Power Transistors Features ● High current (max. 1 A). ● Low voltage (max. 80 V). 文件：669.22 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1005	文件：224.86 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ? High Collector to Base Voltage. ? Excellent DC Current Gain Linearity. ? Complements to PNP type 2SB804. 文件：224.86 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SD1005	文件：78.16 Kbytes Page：1 Pages	1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Small Flat Package ● High Breakdown Voltage ● Excellent DC Current Gain Linearity 文件：78.16 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

技術(shù)參數(shù)

VCEO (V)：
80
IC @25 °C (A)：
1
VCE (sat) (V)：
0.5
hFE：
90-400
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.1
Cob (Typical) (pF)：
8

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD1005	NEC	24+	SOT-89	6940	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	2SD1005	NEC	24+		4326	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢庫存!	詢價(jià)
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更多2SD1005供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:30:00

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