| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
2SC6076 | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) ( IC = 1A) High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ.) 文件：172.08 Kbytes 頁數：5 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | |
2SC6076 | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數：73 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | |
2SC6076 | Power transistor for high-speed switching applications Polarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 3 A \nCollector Current ICP 5 A \nCollector power dissipation PC 10 W \nCollector-Base Voltage VCBO 160 V \nCollector-emitter voltage VCEO 80 V ; | Toshiba 東芝 | Toshiba | |
Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
技術參數
- Polarity：
NPN
- Features：
Low Satulation Voltage
- VCEO(Max)(V)：
80
- IC(Max)(A)：
3
- hFE(Min)：
180
- hFE(Max)：
450
- VCE(sat)(Max)(V)：
0.3
- fT(Typ.)(MHz)：
150
- Number of pins：
3
- Surface mount package：
Y
- Package name：
New PW-Mold
- Width×Length×Height(mm)：
6.5 x 9.5 x 2.3
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