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首頁(yè) >2SC5886A>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC5886A	文件：139.89 Kbytes Page：5 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications DC/DC Converter Applications ? High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) ? Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.22 V (max) ? High-speed switching: tf = 95 ns (typ.) 文件：139.89 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC5886A	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	絲印：C5886A；Package：SC-69；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁(yè)數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC5886A	文件：290.94 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High switching speed time ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High-Speed Switching Applications ·DC/DC Converter Applications 文件：290.94 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SC5886A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Feature：High hFE\nApplication Scope：High-speed switching / High current switching\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 5 A \nCollector power dissipation PC 20 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-Base Voltage VCBO 120 V \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba
2SC5886A(T6L1,NQ)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：PB-F VOLTAGE REGULATOR NEW PW-MO	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5886A,L1XHQ(O	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANSISTOR NPN BIPO PWMOLD	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技術(shù)參數(shù)

Polarity：
NPN
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
50
IC(Max)(A)：
5
hFE(Min)：
400
hFE(Max)：
1000
VCE(sat)(Max)(V)：
0.22
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
New PW-Mold
Width×Length×Height(mm)：
6.5 x 9.5 x 2.3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SC5886A	TOSHIBA/東芝	23+	TO-252	35680	只做進(jìn)口原裝QQ:373621633	詢價(jià)
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