Bipolar Transistor

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ONSEMI

安森美半導體

Bipolar Transistor

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ONSEMI

安森美半導體

Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier

? High power gain low noise figure at low power operation:\n?? |S21|2 = 16 dB typ, NF = 1.0 dB typ (VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 900 MHz);

Renesas

瑞薩

Power transistor for high-speed switching applications

Feature：Low saturation voltage\nApplication Scope：Mobile equipment power supplies\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 4 A \nCollector power dissipation (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 1.25 W \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;

Toshiba

東芝

Transistor-Small Signal Bip-TRSs for High Frequency Amplifier

Renesas

瑞薩

Package：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 50V 5A TP

ONSEMI

安森美半導體

Package：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 100V 5A TP

ONSEMI

安森美半導體

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 100V 5A TPFA

ONSEMI

安森美半導體