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2SC5680	文件：262.029 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 800V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):3.0V(Max) @IC= 7.2A APPLICATIONS · Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications. 文件：262.029 Kbytes 頁數：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
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