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首頁 >2SC5191>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC5191	文件：57.88 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ? Low Voltage Operation, Low Phase Distortion ? Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ? Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA ? Mini Mold Package EIAJ: SC-59 文件：57.88 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC5191	文件：219.56 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD FEATURES ? Low Voltage Operation, Low Phase Distortion ? Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ? Large Absolute Maximum 文件：219.56 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC5191	文件：195.27 Kbytes Page：14 Pages	Low Voltage Operation ,Low Phase Distortion DESCRIPTION ? Low Voltage Operation ,Low Phase Distortion ? Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ? Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA APPLICATIONS ? Designed for use in low-noise and small s 文件：195.27 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC5191	文件：300 bytes Page：1 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR	Renesas 瑞薩	Renesas
2SC5191-T1	文件：57.88 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ? Low Voltage Operation, Low Phase Distortion ? Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ? Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA ? Mini Mold Package EIAJ: SC-59 文件：57.88 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC5191-T1B	文件：219.56 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD FEATURES ? Low Voltage Operation, Low Phase Distortion ? Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ? Large Absolute Maximum 文件：219.56 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC5191-T2	文件：57.88 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ? Low Voltage Operation, Low Phase Distortion ? Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ? Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA ? Mini Mold Package EIAJ: SC-59 文件：57.88 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	NEC 瑞薩	NEC

晶體管資料

型號：
2SC5191
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
9V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
4GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SC3356,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
9
htest：
4000000000
atest：
0.1
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SC5191
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SC5191	ONSEMI/安森美	25+	SOT-23	20300	ONSEMI/安森美原裝特價(jià)2SC5191即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SC5191	ON/安森美	20+	SOT-23	120000	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SC5191	NEC	24+	SOT-23	12500	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2SC5191	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SC5191	NEC	23+	SOT-23	5000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	2SC5191	SANYO	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	SOT-23	10	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SC5191		23+	TO	20000	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SC5191	NEC	2023+	SOT-23	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	2SC5191	NK/南科功率	2025+	SOT-23	986966	國產(chǎn)	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	2SC5191	ON/安森美	22+	SOT-23	20000	只做原裝	詢價(jià)

更多2SC5191供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 11:17:00

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