| 型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION FEATURES * High breakdown voltage. * Excellent hFE linearity. 文件：187.68 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | UTC 友順 | UTC | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR P/b Lead(Pb)-Free 文件：399.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | WEITRON | WEITRON | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/cn/marking.html">CN；Package：SOT-89；NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES ● High breakdown voltage. ● Adoption of MBIT process. ● Excellent hFE linearlity. 文件：185.92 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | BILIN 銀河微電 | BILIN | ||
TRANSISTOR(NPN) FEATURES Small Flat Package High Breakdown Voltage Excellent hFE Linearity 文件：340.45 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | HTSEMI 金譽(yù)半導(dǎo)體 | HTSEMI | ||
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● High Breakdown Voltage ● Excellent hFE Linearity 文件：1.18547 Mbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | JIANGSU 長(zhǎng)電科技 | JIANGSU | ||
High-Voltage Driver Applications Features ● High Breakdown Voltage ● Adoption of MBIT Process ● Excellent hFE Linearlity. 文件：361.76 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | KEXIN 科信電子 | KEXIN | ||
NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES Small Flat Package High Breakdown Voltage Excellent hFE Linearity 文件：77.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | SECOS 喜可士 | SECOS | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/cn/marking.html">CN；Package：SOT-89；NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES High breakdown voltage. Adoption of MBIT process. Excellent hFE linearlity. 文件：490.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | DGNJDZ 南晶電子 | DGNJDZ | ||
TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO: 400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：102.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | WINNERJOIN 永而佳 | WINNERJOIN | ||
High Breakdown Voltage Adoption of MBIT Process ● Features High Breakdown Voltage Adoption of MBIT Process ● Excellent hFE linearlity. 文件：1.30766 Mbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司 | SKTECHNOLGY |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠(chǎng)家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
調(diào)幅 （AM）_調(diào)頻 （FM）_中頻放大 （ZF）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
230MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BF240,BF241,BF254,BF255,BF454,BF494,BF594,BF595,3DG120C,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
A-39
- vtest：
0
- htest：
230000000
- atest：
0
- wtest：
0
技術(shù)參數(shù)
- Product Category：
Power transistor for high-speed switching applications
- Package name(Toshiba)：
PW-Mini
- Recommended Product 1：
2SC5712(Almost same package but similar characteristics)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
24+ |
TO-92 |
6000 |
詢(xún)價(jià) | |||
JXK/杰信科 |
23+ |
TO-92 |
1999998 |
原廠(chǎng)授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳 |
詢(xún)價(jià) | ||
TOS |
23+ |
TO |
20000 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢(xún)價(jià) | ||
TOSHIBA |
24+/25+ |
863 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢(xún)價(jià) | |||
NEC |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢(xún)價(jià) | |||
SANYO |
05+ |
SOT89 |
2255 |
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
TOSHIBA |
2016+ |
TO220F |
6000 |
公司只做原裝,假一罰十,可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢(xún)價(jià) | ||
TOS |
16+ |
TO-3PL |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
NEC |
24+ |
8858 |
公司原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存! |
詢(xún)價(jià) | |||
長(zhǎng)電 |
25+ |
SOT-89 |
329000 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢(xún)價(jià) |
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- SE1
- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
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