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首頁(yè) >2SC4332>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC4332	文件：34.28 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC4332 and 2SC4332-Z are mold power transistors developed for high-speed switching and features a very low collector-to-emitter saturation voltage. This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC converters, motor driv 文件：34.28 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC4332	文件：458.93 Kbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC4332 and 2SC4332-Z are mold power transistors developed for high-speed switching and feature a very low collector-to-emitter saturation voltage. This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC converters, moto 文件：458.93 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC4332	文件：282.82 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：282.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC4332	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Power Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.\n\nThe 2SC4332 and 2SC4332-Z are mold power transistors developed for high-speed switching and feature a very low collector-to-emitter saturation voltage. This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC converte ? Low collector saturation voltage VCE(sat) = 0.3 V MAX. (IC = 3.0 A / IB = 0.15 A)\n? Fast switching speed: tf ≤ 0.3 μs MAX. (IC = 3.0 A)\n? High DC current gain;	Renesas 瑞薩	Renesas
2SC4332-Z	文件：34.28 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC4332 and 2SC4332-Z are mold power transistors developed for high-speed switching and features a very low collector-to-emitter saturation voltage. This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC converters, motor driv 文件：34.28 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC4332-Z	文件：43.49 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxia Features ● Low collector saturation voltage. ● Fast switching speed. ● High DC current gain.) 文件：43.49 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC4332_15	文件：459.54 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING 文件：459.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC4332-Z	文件：286.46 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：286.46 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC4332-Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Power Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.\n\nThe 2SC4332 and 2SC4332-Z are mold power transistors developed for high-speed switching and feature a very low collector-to-emitter saturation voltage. This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC converte ? Low collector saturation voltage VCE(sat) = 0.3 V MAX. (IC = 3.0 A / IB = 0.15 A)\n? Fast switching speed: tf ≤ 0.3 μs MAX. (IC = 3.0 A)\n? High DC current gain;	Renesas 瑞薩	Renesas

晶體管資料

型號(hào)：
2SC4332(Z)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SC3303,2SC4344,
最大耗散功率：
15W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-80
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
15

技術(shù)參數(shù)

Vcbo (V)：
100
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
7
IC @25 °C (A)：
5
VCE (sat) (V)：
0.5
hFE：
100-400
Pc (W)：
15
fT (Typical) (GHz)：
0.15
Cob (Typical) (pF)：
130

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SC4332	RENESAS/瑞薩	25+	TO-252	20300	RENESAS/瑞薩原裝特價(jià)2SC4332即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨	詢價(jià)
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更多2SC4332供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 17:05:00

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