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首頁(yè) >2SC43>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC4387	文件：96.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PML package ·Complement to type 2SA1672 APPLICATIONS ·Audio and general purpose 文件：96.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SC4387	文件：151.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION · With TO-3PML package ·Complement to type 2SA1672 APPLICATIONS ·Audio and general purpose 文件：151.2 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC4388	文件：127.5 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 180V(Min) ? Good Linearity of hFE ? Complement to Type 2SA1673 APPLICATIONS ? Designed for audio and general purpose applications 文件：127.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2SC4388	文件：188.52 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3PML package ? Complement to type 2SA1673 APPLICATIONS ? Audio and general purpose 文件：188.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC4388	文件：25.29 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose) Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1673) Application : Audio and General Purpose 文件：25.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	SANKEN 三墾	SANKEN
2SC4388	文件：125.52 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3PML package ? Complement to type 2SA1673 APPLICATIONS ? Audio and general purpose 文件：125.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SC4390	文件：57.15 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features ● Adoption of MBIT process. ● High DC current gain (hFE=800 to 3200). ● Large current capacity (IC=2A). ● Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat) ≤ 0.3V). ● High VEBO (VEBO ≥ 15V). 文件：57.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC4390	文件：82.37 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, AF Amp Applications High-hFE, AF Amplifier Applications Features ? Adoption of MBIT process. ? High DC current gain (hFE=800 to 3200). ? Large current capacity (IC=2A). ? Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.3V). ? High VEBO (VEBO≥15V). 文件：82.37 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4391	文件：39.24 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● High collector to emitter voltage VCEO. ● Allowing supply with the radial taping. 文件：39.24 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC4391	文件：39.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency output amplification Complementary to 2SA1674 ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● High collector to emitter voltage VCEO. ● Allowing supply with the radial taping. 文件：39.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

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技術(shù)參數(shù)

Vcbo (V)：
100
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
7
IC @25 °C (A)：
5
VCE (sat) (V)：
0.5
hFE：
100-400
Pc (W)：
15
fT (Typical) (GHz)：
0.15
Cob (Typical) (pF)：
130

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更多2SC43供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 14:03:00

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