| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES ● Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) ● Excellent current gain characteristics. ● Complements to 2SA1585. 文件：630.49 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | BILIN 銀河微電 | BILIN | ||
TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) ● Excellent current gain characteristics. ● Complements to 2SA1585 文件：1.39832 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages | HTSEMI 金譽半導(dǎo)體 | HTSEMI | ||
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) ● Excellent current gain characteristics. ● Complements to 2SA1585 文件：1.19297 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages | JIANGSU 長電科技 | JIANGSU | ||
Low Frequency Transistor ■ Features ● Collector Current Capability IC=3A ● Collector Emitter Voltage VCEO=20V ● Complements to 2SA1585 文件：51.9 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | KEXIN 科信電子 | KEXIN | ||
NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● Small Flat Package ● General Purpose Application ● Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) 文件：76.91 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SECOS 喜可士 | SECOS | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4115q/marking.html">4115Q；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) Excellent current gain characteristics. Complements to 2SA1585 文件：1.61096 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages | DGNJDZ 南晶電子 | DGNJDZ | ||
Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. Features Low VCE(sat),excellent current gain characteristics； complementary pair with 2SA1585. Applications Low frequency amplifier. 文件：980.13 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | FOSHAN 藍箭電子 | FOSHAN | ||
Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ? Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) ? Excellent current gain characteristics. ? Complements to 2SA1585 文件：1.03355 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages | HOTTECH 合科泰 | HOTTECH | ||
TRANSISTOR DESCRIPTION NPN Epitaxial planar Silicon Transistor FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC/IB = 2A/0.1A) APPLICATION Excellent current gain characteristics For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM, DVD-ROM, Note book PC, etc.) 文件：230.08 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | JIANGSU 長電科技 | JIANGSU | ||
TRANSISTOR DESCRIPTION NPN Epitaxial planar Silicon Transistor FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC/IB = 2A/0.1A) APPLICATION Excellent current gain characteristics For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM, DVD-ROM, Note book PC, etc.) 文件：230.08 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | JIANGSU 長電科技 | JIANGSU |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
300V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BU109,BU110,BU210,BUX17A,BUX17B,BUX17C,BUX42,BUY18,BUY21,BUY74,2SC2626,3DD164E,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍數(shù)：
β>10
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
100
技術(shù)參數(shù)
- PCM(W)：
0.5
- IC(A)：
3
- VCBO(V)：
40
- VCEO(V)：
20
- VEBO(V)：
6
- hFEMin：
120
- hFEMax：
560
- hFE@VCE(V)：
2
- hFE@IC(A)：
0.1
- VCE(sat)(V)：
0.5
- VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
- VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
- Package：
SOT-89
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
詢價 | ||||
NEC |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
SOT23 |
3000 |
原裝長期供貨! |
詢價 | |||
PANASONIC |
24+/25+ |
1500 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
TOSHIBA |
05+ |
SOT23 |
2145 |
全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT-323 |
3500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
SAY |
16+ |
TO-3PL |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
SANYO |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
25+ |
SOT-323 |
6000 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
Toshiba |
24+ |
sot |
1068 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |
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