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首頁 >2SC38>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC3805-251	文件：294.58 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 30(Min)@ IC=20mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.58 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC3805-252	文件：275.52 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 30(Min)@ IC=20mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：275.52 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC3807	文件：84.53 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications????????? High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features · Large current capacity (IC=2A). · Adoption of MBIT process. · High DC current gain (hFE=800 to 3200). · Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.5V). · High VEBO(VEBO≥15V). Applications · Low frequency 文件：84.53 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3807C	文件：50.69 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 25V / 2A High-hFE, Low Frequency General-Purpose Amplifier Applications 25V / 2A High-hFE, Low Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications ?Low-frequency general-purpose amplifiers, drivers. Features ? Large current capacity (IC=2A). ? Adoption of MBIT process. ? High DC current gain (hFE=1000 to 2000). ? Low collector-to-emi 文件：50.69 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3807MP	文件：49.55 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 25V / 2A High-hFE, Low Frequency General-Purpose Amplifier Applications 25V / 2A High-hFE, Low Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications ? Low-frequency general-purpose amplifiers, drivers. Features ? Large current capacity (IC=2A). ? Adoption of MBIT process. ? High DC current gain (hFE=1000 to 2000). ? Low collector-to-emitter saturation v 文件：49.55 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3808	文件：84.49 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications????????? High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features · Large current capacity (IC=2A). · Adoption of MBIT process. · High DC current gain (hFE=800 to 3200). · Low collector-to-emitter saturation voltage (V CE(sat)≤0.5V). · High VEBO(VEBO≥15V). Applications · Low f 文件：84.49 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3809	文件：34.73 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFIERS AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHINGS INDUSTRIAL USE FEATURES ? The 2SC3809 is an NPN silicon epitaxial dual transistor having a large-gain-bandwidth product performance in a wide operating current range. ? Dual chips in one package can achieve high performance for differential amplifiers and current mode logic (CML) circuits. 文件：34.73 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC3809	文件：164.68 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFIERS AND ULTRA HIGH SPEED SWITCHINGS INDUSTRIAL USE FEATURES · The 2SC3809 is an NPN silicon epitaxial dual transistor having a large-gain-bandwidth product performance in a wide operating current range. · Dual chips in one package can 文件：164.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC380TM	文件：83.53 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic-Encapsulated Transistor FEATURES High Frequency Amplifier Applications 文件：83.53 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC380TM	文件：338.53 Kbytes Page：6 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) High Frequency Amplifier Applications High power gain: Gpe= 29dB (typ.) (f = 10.7 MHz) Recommended for FM IF, OSC stage and AM CONV. IF stage. 文件：338.53 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

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晶體管資料

型號(hào)：
2SC3841
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）_振蕩級(jí)
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
25V
最大電流允許值：
0.03A
最大工作頻率：
4GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BFQ29,BFQ81,BFR93,BFT75,2SC2734,2SC3547A,2SC3707,2SC3774,2SC3838K,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-15
vtest：
25
htest：
4000000000
atest：
0.03
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

PC：
200 (mW)
IC：
30 (mA)
VCBO：
25 (V)
VCEO：
12 (V)
VEBO：
3 (V)
VCE(sat)：
0.5 (V)??10 IC(mA)??1 IB(mA)
hFE：
10 VCE (V)??5 IC(mA)??40 MIN.??200 MAX.
fT：
2.5 (MHz)
封裝：
SOT-23 Package

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市科芯源微電子有限公司	2SC3841	RENESAS/瑞薩	23+	SOT-23	100586	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SC3841	NEC	24+	SOT-23	9700	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2SC3841	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市百諾芯科技有限公司	2SC3841	NEC	23+	SOT-23	24190	原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	2SC3841	NEC	1922+	SOT-23	35689	原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨	詢價(jià)
洪芯國際半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SC3841	NEC	26+	SOT-23	86720	全新原裝正品價(jià)格最實(shí)惠假一賠百	詢價(jià)
深圳市瑞卓芯科技有限公司	2SC3841	NEC	22+	SOT-23	18000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SC3841	NEC	2023+	SOT-23	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	2SC3841	NK/南科功率	2025+	SOT-23	986966	國產(chǎn)	詢價(jià)
深圳市盈慧通電子有限公司	2SC3841	RENESAS/瑞薩	2511	SOT-23	360000	電子元器件采購降本30%!原廠直采,砍掉中間差價(jià)	詢價(jià)

更多2SC38供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 20:00:00

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