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首頁 >2SC3632>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC3632	文件：290.54 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：290.54 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC3632	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Power Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.\n\nThe 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. ? High Voltage VCEO = 600 V\n? High Speed tf < 0.5 μs\n? Complement to 2SA1413-Z;	Renesas 瑞薩	Renesas
2SC3632-AZ	文件：895.35 Kbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High Voltage VCEO= 600 V ? High Speed tf 文件：895.35 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC3632Z	文件：270.69 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION The 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High Voltage VCEO= 600 V ? High Speed tf 文件：270.69 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC3632-Z	文件：895.35 Kbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High Voltage VCEO= 600 V ? High Speed tf 文件：895.35 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC3632-Z	文件：301.3 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? With TO-252(DPAK) packaging ? High collector-emitter voltage ? Low collector saturation voltage ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? High voltage switching. 文件：301.3 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC3632-Z	文件：40.37 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High voltage ● High speed ● Complementary to 2SA1413-Z 文件：40.37 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC3632-Z	文件：270.65 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION The 2SC3632-Z is designed for High Voltage Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ? High Voltage VCEO= 600 V ? High Speed tf 文件：270.65 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC3632-Z_15	文件：1.36833 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.36833 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC3632-Z_15	文件：895.35 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：895.35 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

晶體管資料

型號：
2SC3632(Z)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
600V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
30MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SC3363,
最大耗散功率：
10W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-80
vtest：
600
htest：
30000000
atest：
1
wtest：
10

技術(shù)參數(shù)

Vcbo (V)：
600
VCEO (V)：
600
Vebo (V)：
7
IC @25 °C (A)：
1
VCE (sat) (V)：
1
hFE：
30-120
Pc (W)：
10
fT (Typical) (GHz)：
0.03
Cob (Typical) (pF)：
14

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2SC3632供應(yīng)商更新時間2026-1-20 11:44:00

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