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首頁(yè) >2SC3583>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC3583	文件：103.74 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitri 文件：103.74 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC3583	文件：1.05755 Mbytes Page：5 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER DESCRIPTION The NE68133 / 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low-noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by dir 文件：1.05755 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CEL	CEL
2SC3583	文件：321.32 Kbytes Page：10 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Lownoise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride 文件：321.32 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC3583	文件：300.22 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise and High Gain DESCRIPTION ? Low Noise Figure, High Gain, and High Current Capability Achieve a Very Wide Dynamic Range and Excellent Linearity. ? Low Noise and High Gain NF = 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz Ga = 13 dB TYP. @f = 1.0 GHz APPLICATIONS ? Designed for use in low-noise and small signal amplifi 文件：300.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2SC3583	文件：40.19 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● NF 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz ● Ga 13 dB TYP. @f = 1.0 GHz 文件：40.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC3583	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Tranasitor The UTC 2SC3853 is an NPN epitaxial transistor; it uses UTC’sadvanced technology to provide the customers with high current gainand high current capability, etc. High current gain High current capability;	UTC 友順	UTC
2SC3583	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Silicon Bipolars NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor (Same as NE68133)	Renesas 瑞薩	Renesas
2SC3583	文件：300 bytes Page：1 Pages	高頻三極管	MXTronics 時(shí)代民芯	MXTronics
2SC3583_15	文件：321.32 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR 文件：321.32 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC3583-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：托盤(pán) 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23-3	CEL	CEL

晶體管資料

型號(hào)：
2SC3583
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.065A
最大工作頻率：
9GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SC3606,2SC3730,2SC3904,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-15
vtest：
20
htest：
9000000000
atest：
0.065
wtest：
0.6

技術(shù)參數(shù)

VCEO(V)：
10
ICM(mA)：
35
PT(W)：
0.15
2(dB)：
13
NF(dB)：
1.2
GUM(dB)：
14
@Vce(V)：
3
@Ic(mA)：
5
@fT(GHz)：
0.9
Package：
SOT323
兼容型號(hào)：
2SC4228

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SC3583	NEC	24+	SOT-23	8041	新進(jìn)庫(kù)存/原裝	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2SC3583		24+	SOT23	1000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2SC3583	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市百諾芯科技有限公司	2SC3583	NEC	23+	SOT-23	24190	原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	2SC3583	NEC	1922+	SOT23	90000	原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫(kù)存專業(yè)工廠研究所配單供貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SC3583	NEC	23+	SOT23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SC3583		2022+		18890	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SC3583	RENESAS/瑞薩	23+	SOT-23	306000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳	詢價(jià)
洪芯國(guó)際半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SC3583	NEC	26+	SOT-23	86720	全新原裝正品價(jià)格最實(shí)惠假一賠百	詢價(jià)
上海磐岳電子有限公司	2SC3583	NEC	2023+	SOT-23	58000	進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣(mài)	詢價(jià)

更多2SC3583供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:50:00

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