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RJH60D3DPE	文件：170.13 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features ? Short circuit withstand time (5 μs typ.) ? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) ? Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package ? Trench gate and thin wafer technology ? High speed switching tf = 文件：170.13 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
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