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首頁 >2SC33>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC3357-F	文件：665.14 Kbytes Page：4 Pages	絲印：RF；Package：SOT-89；NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot 文件：665.14 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	YFWDIODE 佑風(fēng)微	YFWDIODE
2SC3357-F-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot ● Pb?Free Package May be Available. The G?Suffix Denotes a Pb?Free Lead Finish 文件：992.93 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC3357-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot ● Pb?Free Package May be Available. The G?Suffix Denotes a Pb?Free Lead Finish 文件：992.93 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC3357-H-HF	文件：992.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■ Features ● Low noise and high gain ● High power gain ● Large Ptot ● Pb?Free Package May be Available. The G?Suffix Denotes a Pb?Free Lead Finish 文件：992.93 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC3357-T1	文件：218.19 Kbytes Page：10 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD FEATURES ? Low noise and high gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 7.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz NF = 1.8 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz ? High power gain : MAG = 10 dB TYP. @ IC = 40 mA, f = 1 GHz ? Large Ptot : Ptot = 1.2 W (Mounted on 16 cm2 × 文件：218.19 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SC3357-T2	文件：77.51 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has large dynamic range and good current characteristic. FEATURES ? Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1.0 GHz N 文件：77.51 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC3359S	文件：69.63 Kbytes Page：3 Pages	絲印：TP；Package：SPT；Power Transistor (80V, 0.3A) Medium Power Transistor (50V, 0.5A) Power Transistor (80V, 0.3A) 文件：69.63 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SC3360	文件：37.74 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High voltage VCEO=200V ● High DC Current Gain hFE=90 to 450 ● Complementary to 2SA1330 文件：37.74 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC3360	文件：194.86 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD? FEATURES ● High Voltage VCEO = 200 V ● High DC Current Gain hFE = 90 to 450 ● Complementary to 2SA1330 文件：194.86 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SC3360	文件：355.48 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents FEATURES ● High Voltage VCEO = 200 V ● High DC Current Gain hFE = 90 to 450 ● Complementary to 2SA1330 文件：355.48 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

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晶體管資料

型號：
2SC3356
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
超高頻/特高頻（UHF）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
7GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SC3513,2SC3606,2SC3829,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
20
htest：
7000000000
atest：
0.1
wtest：
0.2

技術(shù)參數(shù)

Ptot(W)：
0.2
IC(A)：
0.1
Vcbo(V)：
20
Vceo(V)：
12
Vebo(V)：
3
Icbo(μA)：
1
Vcb(V)：
10
Vcet(sat)(V)：
0.3
Vcet(sat)_Ic(mA)：
50
Vcet(sat)_Ib(mA)：
5
hFE：
10-250
hFE_Vce(V)：
10
hFE_Ic(mA)：
20
Package：
SOT-23

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市明嘉萊科技有限公司	2SC3356		23+	SMD	618000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
訊運(yùn)(深圳/上海)電子有限公司	2SC3356	ON	18+	SOT23	30000	ON專營→可提供17發(fā)票	詢價
飛利飛科技有限公司	2SC3356	NEC	14+無鉛	SOT-23	25700	優(yōu)勢產(chǎn)品,博盛微熱賣!!!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SC3356	CJ/長晶	20+	SOT-23	120000	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市柯爾基電子有限公司	2SC3356	Genesys	23+/24+	SOT-23	29950	進(jìn)口原裝/原盒原標(biāo)/原廠渠道	詢價
深圳市東來寶電子科技有限公司	2SC3356	ST	24+	SOT23	996300	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
深圳市誠利順電子科技有限公司	2SC3356	RENESAS	25+	SOT-23	6500	十七年專營原裝現(xiàn)貨一手貨源,樣品免費(fèi)送	詢價
深圳市佳杰偉業(yè)科技有限公司	2SC3356	NEC	2406+	SMD4	21230	優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨	詢價
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	2SC3356	NK/南科功率	9420	SOT-23-3	36520	國產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量	詢價
深圳市沃泰克斯電子技術(shù)有限公司	2SC3356	NEC	98P/QX/A	SOT-23	708	只做原裝,現(xiàn)貨庫存	詢價

更多2SC33供應(yīng)商更新時間2026-1-20 17:00:00

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