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首頁 >2SC3075>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC3075	文件：208.46 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING, HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) Switching Regulator and High Voltage Switching Applications DC-DC Converter Applications DC-AC Converter Applications ? Excellent switching times: tr= 1.0 μs (max) tf= 1.5 μs (max), (IC= 0.5 A) ? High collector breakdown voltage: VCE 文件：208.46 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC3075	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC3075	文件：294.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC3075	文件：43.32 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● Excellent Switching Times tr=1.0ìs (Max.) tf=1.5ìs (Max.) at IC=0.5A ● High colletor Breakdown Voltage: VCEO=400V 文件：43.32 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SC3075	文件：170.75 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) Switching Regulator and High Voltage Switching 文件：170.75 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC3075	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：High voltage switching / Switching regulators\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 0.8 A \nCollector power dissipation PC 10 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-Base Voltage VCBO 500 V \nCollector-emitter voltage VCEO 400 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba
2SC3075-251	文件：294.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC3075_06	文件：170.75 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) Switching Regulator and High Voltage Switching 文件：170.75 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

晶體管資料

型號(hào)：
2SC3075
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
500V
最大電流允許值：
0.8A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SC3363,2SC3588,2SC3632,2SC3825,
最大耗散功率：
10W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-80
vtest：
500
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
10

技術(shù)參數(shù)

Product Category：
Power transistor for high-speed switching applications
Package name(Toshiba)：
PW-Mold
Recommended Product 1：
2SC5548A(Almost same package but similar characteristics)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SC3075	TOSHIBA	24+	TO-252	12200	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
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更多2SC3075供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:30:00

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