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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC2706	文件：128.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·High power dissipation APPLICATIONS ·For audio power amplifier and general purpose applications 文件：128.53 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC2706	文件：121.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·High power dissipation APPLICATIONS ·For audio power amplifier and general purpose applications 文件：121.66 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2707	文件：212.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 180V(Min.) ? High Power Dissipation ? Complement to Type 2SA1147 APPLICATIONS ? Designed for power switching amplifier and general purpose applications. 文件：212.16 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC2707	文件：129.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 180V(Min.) ? High Power Dissipation ? Complement to Type 2SA1147 APPLICATIONS ? Designed for power switching amplifier and general purpose applications. 文件：129.02 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2SC2710	文件：135.98 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (FOR AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) For Audio Amplifier Applications ? High DC current gain: hFE (1) = 100~320 ? Complementary to 2SA1150 文件：135.98 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC2710	文件：178.39 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Audio Amplifier Applications ? High DC current gain: hFE (1) = 100~320 ? Complementary to 2SA1150 文件：178.39 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC2710	文件：134.91 Kbytes Page：1 Pages	MINI PACKAGE SERIES Application General Purpose > Low Noise High Voltage High Current High Current Low Impedance Low Noise (NEW Audio Drive & Out NEW High B Muting & SW FM RF, MIX OSC AM CONV. FM/AM IF AM FF, CONV IF FM/AM RF, MIX OSC Application General Purpose High IYfsl Low Noise Analog SW & Ge 文件：134.91 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC2710-Y	文件：178.39 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Audio Amplifier Applications ? High DC current gain: hFE (1) = 100~320 ? Complementary to 2SA1150 文件：178.39 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SC2712	文件：113.89 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER NPN TRANSISTOR FEATURES * High Voltage and High Current: VCEO=50V, IC=150mA (Max.) * Excellent hFE Linearity: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) * High hFE * Low Noise 文件：113.89 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SC2712	文件：338.66 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Transistors Silicon NPN Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：338.66 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	WEITRON	WEITRON

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晶體管資料

型號：
2SC2785
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
通用型（Uni）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
250MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC174,BC182,BC190,BC447,BC546,3DG120C,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-20
vtest：
60
htest：
250000000
atest：
0.1
wtest：
0.25

技術(shù)參數(shù)

VCEO (V)：
50
hFE min.：
110
hFE max.：
600
Pc (W)：
0.25
Production Status：
EOL

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更多2SC27供應(yīng)商更新時間2026-1-19 13:39:00

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