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首頁 >2SC216>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC2166	文件：187.59 Kbytes Page：2 Pages	High Reliability DESCRIPTION ? High Power Gain- : Gpe≥ 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V ? High Reliability APPLICATIONS ? Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. 文件：187.59 Kbytes 頁數：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC2166	文件：43.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Gain- : Gpe≥ 13.8dB @f= 27MHz, PO= 6W; VCC= 12V ·High Reliability APPLICATIONS ·Designed for 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. 文件：43.12 Kbytes 頁數：2 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
2SC2166	文件：130.19 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)? DESCRIPTION 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. 文件：130.19 Kbytes 頁數：3 Pages	MITSUBISHI 三菱電機	MITSUBISHI
2SC2166	文件：92.74 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Transistor Final RF Power Output Silicon NPN Power Transistor Final RF Power Output The 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 Watt Output Power Class AB Amplifiers in HF Band 文件：92.74 Kbytes 頁數：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
2SC2166	文件：271.46 Kbytes Page：3 Pages	3 to 4 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications. DESCRIPTION 2SC2166 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in HF band mobile radio applications. APPLICATION 3 to 4 watts output power amplifiers in HF band mobile radio applications. 文件：271.46 Kbytes 頁數：3 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
2SC2166	文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes 頁數：2 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
2SC2166_15	文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes 頁數：2 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
2SC2166_2014	文件：32.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：32.13 Kbytes 頁數：2 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
2SC2167	文件：126.76 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：126.76 Kbytes 頁數：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
2SC2167	文件：56.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：56.67 Kbytes 頁數：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC

晶體管資料

型號：
2SC2166
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質：
射頻/高頻放大（HF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
75V
最大電流允許值：
4A
最大工作頻率：
27MHZ
引腳數：
3
可代換的型號：
2SC1944,2SC1969,2SC2043,2SC2098,2SC2119,3DA22B,
最大耗散功率：
6W
放大倍數：
圖片代號：
B-10
vtest：
75
htest：
27000000
atest：
4
wtest：
6.0001

技術參數

Output Power：
7.5(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
[email protected]@10V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
75V
Maximum Collector Base Voltage：
75V
Configuration：
Single

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市旺財半導體有限公司	2SC2166	MITSBISHI	23+		1688	房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633	詢價
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	2SC2166	MITSUBIS	23+	TO-220	650	專營高頻管模塊,全新原裝!	詢價
深圳市弘為電子有限公司	2SC2166	MIT	24+	原廠封裝	2500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市利加科技有限公司	2SC2166	FAIRCHILD	16+	TO-220	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市一線半導體有限公司	2SC2166	3000	24+		30000		詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	2SC2166	三菱	23+	TO-220	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2SC2166	三菱	24+/25+	TO220	2995	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	2SC2166	MITSBISHI	24+	TO-220	166	現(xiàn)貨供應	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	2SC2166	MITSUBISH三凌	20+	TO-220	38900	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市百諾芯科技有限公司	2SC2166	MITSUBISHI/三菱	23+	TO-59	8510	原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢	詢價

更多2SC216供應商更新時間2026-1-19 10:34:00

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