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首頁 >2SC1971>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SC1971	文件：63.94 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2SC1971 is Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. FEATURES INCLUDE: ? Replaces Original 2SC1971 in Most Applications ? High Gain Reduces Drive Requirements ? Economical TO-220CE Package 文件：63.94 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	ASI	ASI
2SC1971	文件：219.27 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? High Power Gain- : Gpe≥ 10dB,f= 175MHz, PO= 6W; VCC= 13.5V ? High Reliability APPLICATIONS ? Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. 文件：219.27 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SC1971	文件：153.08 Kbytes Page：1 Pages	silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio DESCRIPTION 2SC1971 is a silicon NPN epitaxail planar type transistor designed for RF Power Amplifiers on VHF band mobile radio applications. FEATURES ● High power gain: Gpe ≥ 10dB, @VCC = 13.5V, Po = 6W, f = 175MHz ● Emitter ballasted construction, gold metallization for high reliabil 文件：153.08 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2SC1971	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/c1971/marking.html">C1971；Package：T-30E；NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC1971 is a silicon NPN epitaxail planar type transistor designed for RF Power Amplifiers on VHF band mobile radio applications. FEATURES ● High power gain: Gpe ≥ 10dB, @VCC = 13.5V, Po = 6W, f = 175MHz ● Emitter ballasted construction, gold metallization for high reliabil 文件：127.93 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MITSUBISHI 三菱電機(jī)	MITSUBISHI
2SC1971	文件：269.74 Kbytes Page：3 Pages	4 to 5 watts output power amplifiers in VHF band applications. 文件：269.74 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
2SC1971	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 17V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220	NJS	NJS
2SC1971-01	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC1971 is a silicon NPN epitaxail planar type transistor designed for RF Power Amplifiers on VHF band mobile radio applications. FEATURES ● High power gain: Gpe ≥ 10dB, @VCC = 13.5V, Po = 6W, f = 175MHz ● Emitter ballasted construction, gold metallization for high reliabil 文件：127.93 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MITSUBISHI 三菱電機(jī)	MITSUBISHI

技術(shù)參數(shù)

Output Power：
7(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
[email protected]@10V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
17V
Maximum Collector Base Voltage：
35V
Configuration：
Single

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SC1971	MITSUBISH	25+	TO-220	26067	MITSUBISH全新特價(jià)2SC1971即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
深圳市金華微盛電子有限公司	2SC1971	MITSUBIS	2019+	SMD	6992	原廠渠道可含稅出貨	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SC1971	MITSUBISHI/三菱	23+		1688	房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633	詢價(jià)
深圳市東來寶電子科技有限公司	2SC1971	MITSUBISHI	24+	TO-220	9872	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市云美電子科技有限公司	2SC1971	MITSUBISH	24+	TO-220	66500	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳瞄鈞科技有限公司	2SC1971	三菱	24+	TO220	45860	原裝正品特價(jià)現(xiàn)貨(香港新加坡日本)	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	2SC1971	MIT	21+	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	2510000	T0220	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SC1971	MITSUBISHI/三菱	20+	TO-220	10000		詢價(jià)
深圳廣友電子有限公司	2SC1971	MIT	25+	T0220	1300	全新原裝三凌	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SC1971	MITSUBISHI	24+	TO220	3742		詢價(jià)

更多2SC1971供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 17:05:00

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