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首頁 >2SB601>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB601	文件：110.45 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES ? High-DC current gain due to Darlington connection ? Low collector saturation voltage ? Low collector cutoff current ? Ideal for use in direct drive from IC output fo 文件：110.45 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SB601	文件：261.91 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES ? High-DC current gain due to Darlington connection ? Low collector saturation voltage ? Low collector cutoff current ? Ideal for use in direct drive from IC output 文件：261.91 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SB601	文件：150.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications 文件：150.49 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SB601	文件：177.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications 文件：177.42 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
2SB601	文件：133.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ? High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ lc=-3A ? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)=-100V(Min) ? Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = -1.5V(Max)@lc=-3A APPLICATIONS ? Designed for use in low-frequency power amplifiers and low-speed s 文件：133.09 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2SB601	文件：117.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-220C package ? DARLINGTON ? High DC current gain ? Low collector saturation voltage APPLICATIONS ? For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications 文件：117.08 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB601	文件：118.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：118.7 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB601	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 300V 5A 3-Pin(3+Tab) MP-25	NJS	NJS
2SB601	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞薩	Renesas
2SB601_15	文件：177.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：177.42 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC

晶體管資料

型號(hào)：
2SB601
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BD264B,BD650,BD702,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,BD650,FC50B,
最大耗散功率：
30W
放大倍數(shù)：
β>2000
圖片代號(hào)：
B-89
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

技術(shù)參數(shù)

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-100
Vebo (V)：
-7
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
-5
VCE(sat) (V) max.：
-1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
15000
Pc (W)：
30
Package Type：
MP-25
Production Status：
EOL

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市弘為電子有限公司	2SB601	SAM	24+	原廠封裝	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB601	NSC	24+		2927		詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	2SB601	TOS	16+	TO-220	100000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	2SB601	NEC	24+		8858	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存!	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	2SB601	NEC	24+		6540	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SB601	NEC	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SB601	ST	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	2SB601	ST	23+	TO-220	16900	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	2SB601	NEC	22+	TO-220	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
上海磐岳電子有限公司	2SB601	NEC	2023+	TO-220	58000	進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣	詢價(jià)

更多2SB601供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 13:34:00

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