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首頁(yè) >2SB124>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB124060ML	文件：17.95 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ? 2SB124060ML is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ? Low power losses, high efficiency; ? Guard ring construction for transient protection; ? High ESD capability; ? High surge capability; ? Packaged products are widely use 文件：17.95 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	SILAN 士蘭微	SILAN
2SB1240P	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) 文件：538.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1240Q	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) 文件：538.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1240R	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) 文件：538.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1241	文件：80.41 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/tv2/marking.html">TV2；Power Transistor Features 1) High breakdown voltage and high current. BVCEO= ?80V, IC=?1A 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733. 文件：80.41 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB124100ML	文件：17.88 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ? 2SB124100ML is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ? Low power losses, high efficiency; ? Guard ring construction for transient protection; ? High ESD capability; ? High surge capability; ? Packaged products are widely use 文件：17.88 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	SILAN 士蘭微	SILAN
2SB1243	文件：129.36 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：129.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1243	文件：147.11 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/qr/marking.html">QR；Package：ATV；Power Transistor (-60V, -3A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：147.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1244	文件：356.38 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY HIGH VOLTAE AMPLIFIER 文件：356.38 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1245	文件：356.38 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY HIGH VOLTAE AMPLIFIER 文件：356.38 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

晶體管資料

型號(hào)：
2SB1245
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
視頻輸出（Vid）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
200V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
140MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BF423A,BF436,BF491,2SA879,2SA1321,2SA1370,2SQA1371,2SA1372,2SA1373,2SA1376A,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-20
vtest：
200
htest：
140000000
atest：
0.1
wtest：
0.9

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SB1246	ISC/固電	23+	TO-251IPAK	139000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SB1246	SANYO	23+	SOT252	4000	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	2SB1246-TL-E	SANYO/三洋	22+	SOT252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1247	SANYO	24+		54000		詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SB1247	SANKEN	TO-252	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SB1247	SANKEN	25+	TO-252	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	2SB1250	SANYO	16+	TO-220	100000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	2SB12520Q	Panasonic	20+	N/A	899	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	2SB12520Q	PANASONIC	25+	TO-220	1675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	2SB12520Q	Panasonic Electronic Component	2022+	TO-220F-A1	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)

更多2SB124供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 11:09:00

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