| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
2SB1236 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/qr/marking.html">QR；Package：ATV；Power Transistor Power Transistor (-120V, -1.5A) 2SB1236 / 2SB1186 Power Transistor (120V, 1.5A) 2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343 / 2SD1763 文件：43.82 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | |
2SB1236 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/qr/marking.html">QR；Package：ATV；Power Transistor (-120V , -1.5A) Power Transistor (-120V, -1.5A) 2SB1236 / 2SB1186 Power Transistor (120V, 1.5A) 2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343 / 2SD1763 文件：73.12 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | |
2SB1236 | isc Silicon PNP Power Transistor 文件：180.04 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
2SB1236 | Transistors > Medium Power Bipolar Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM 羅姆 | ROHM | |
絲印：TV2；Package：ATV；Power Transistor (-160V , -1.5A) Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO= -160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 30pF at VCB = 10V) 3) High transition frequency.(fT = 50MHZ) 4) Complements the 2SD1918 / 2SD1857A. 文件：84.04 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
POWER TRANSISTOR Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：48.13 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Power Transistor (-160V, -1.5A) 文件：175.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Transistors > Medium Power Bipolar Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Package：3-SIP；包裝：剪切帶（CT） 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 160V 1.5A ATV | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Package：3-SIP；包裝：剪切帶（CT） 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 120V 1.5A ATV | ROHM 羅姆 | ROHM |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_輸出極 （E）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
160V
- 最大電流允許值：
1.5A
- 最大工作頻率：
50MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SA1425,2SB1130,2SB1398,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
A-70
- vtest：
160
- htest：
50000000
- atest：
1.5
- wtest：
1
詳細參數(shù)
- 型號：
2SB1236
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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原裝分銷 |
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