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首頁 >2SB12>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB1243	文件：129.36 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：129.36 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SB1244	文件：356.38 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY HIGH VOLTAE AMPLIFIER 文件：356.38 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1245	文件：356.38 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY HIGH VOLTAE AMPLIFIER 文件：356.38 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1252	文件：75.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification) Silicon PNP epitaxial planar type Darlington For power amplification Complementary to 2SD1892 ■ Features ● Optimum for 35W HiFi output ● High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000 ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): 文件：75.23 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1253	文件：74.98 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification) Silicon PNP epitaxial planar type Darlington For power amplification Complementary to 2SD1893 ■ Features ● Optimum for 40W HiFi output ● High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000 ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): 文件：74.98 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1253	文件：134.35 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ? High DC CurrentGain- : hFE= 5000(Min)@lc= -5A ? Low-Collector SaturationVoltage- : VCE(sat)= -2.5V(Max.)@lc= -5A ? Complementto Type 2SD1893 APPLICATIONS ? Designed for power amplifierapplications 文件：134.35 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2SB1254	文件：74.9 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification) For power amplification Complementary to 2SD1894 ■Features ● Optimum for 60W HiFi output ● High foward current transfer ratio hFE ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): 文件：74.9 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1201_15	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.5914 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1201-R	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.5914 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1201-S	文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.5914 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN

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晶體管資料

型號(hào)：
2SB1216
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
120V
最大電流允許值：
4A
最大工作頻率：
130MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SA1647,2SB930A,
最大耗散功率：
20W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-80
vtest：
120
htest：
130000000
atest：
4
wtest：
20

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
4
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
120
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
140
hFE Max：
280
fT Min (MHz)：
130
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	2SB1216	NK/南科功率	2025+	TO-252	2500	國產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1216	ROHM	24+		60000		詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	2SB1216	SANYO/三洋	2447	TO-251	100500	一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SB1216	NEC	23+	TO-251	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SB1216	NEC	22+	TO-252	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	2SB1216	SANYO/三洋	22+	SOT252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	2SB1216	N/A	2023+環(huán)保現(xiàn)貨	原廠原裝!!	10	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SB1216	SANYO	23+	SOT252	4000	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	2SB1216	SANYO/三洋	24+	SOT252	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SB1216	NEC	25+	TO-252	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)

更多2SB12供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 14:01:00

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