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首頁 >2SB111>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SB1110	文件：389.68 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER) COMPLEMENTARY PAIR 2SD1609 and 2SD1610 (NPN) 文件：389.68 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1114	文件：209.26 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SB1114 is designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● High DC Current Gain hFE = 135 to 600 ● Low VCE(sat). VCE(sat) = - 0.3 V at 1.5 A ● Complement to 2SD1614 文件：209.26 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SB1114	文件：51.22 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High Dc current gain hFE=135 to 600 ● Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.3V at 1.5A ● Complementary to 2SD1614 文件：51.22 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1114	文件：873.2 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon General USE Transistors PNP-Silicon General use Transistors 1W 、 1.5A、 25V Applications： Can be used for switching and amplifying in various electrical and electronic circuit. 文件：873.2 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1115	文件：631.29 Kbytes Page：1 Pages	World standard miniature package FEATURES World Standard Miniature Package Low VCE(sat): VCE(sat) = -0.2V at 1 A 文件：631.29 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1115	文件：51.25 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V at 1A ● Complementary to 2SD1615 文件：51.25 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1115	文件：228.4 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SB1115, 2SB1115A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuit. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● Low VCE(sat): VCE(sat) = -0.2 V at 1 A ● Complement to 2SD1615, 2SD1615A 文件：228.4 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SB1115A	文件：228.4 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SB1115, 2SB1115A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuit. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● Low VCE(sat): VCE(sat) = -0.2 V at 1 A ● Complement to 2SD1615, 2SD1615A 文件：228.4 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SB1115A	文件：51.15 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● World standard miniature package. ● Low VCE(sat): VCE(sat)=-0.2V at 1A 文件：51.15 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SB1116	文件：1.041 Mbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ? High Collector Power Dissipation. ? Complementary to 2SD1616/2SD1616A 文件：1.041 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU

晶體管資料

型號：
2SB1115A
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_通用型（Uni）_LO_SAT
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
>80MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SB1520,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-100
vtest：
80
htest：
80000100
atest：
1
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

VCEO (V)：
-60
IC @25 °C (A)：
-1
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
135-600
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.12
Cob (Typical) (pF)：
25

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SB1115A	NEC	24+	SOT-89	77400	新進庫存/原裝	詢價
深圳市豪邁興電子有限公司	2SB1115A	NEC	24+		4231	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!	詢價
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深圳市億智騰科技有限公司	2SB1115A	NEC	24+		6540	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	2SB1115A	NEC	2447	SOT-89	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
深圳市萊克訊科技有限公司	2SB1115A	NEC	1922+	SOT-89	35689	原裝進口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨	詢價
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深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司	2SB1115A	NEC	23+	SOT89	4000	正品原裝貨價格低	詢價

更多2SB111供應(yīng)商更新時間2026-1-20 16:30:00

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