| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
2SB1020 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·High DC C urrent Gain-: hFE= 2000(Min.)@IC= -3A ·Low Collector Saturation Voltage-: VCE(sat)= -1.5V(Max)@IC= -3A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SD1415 APPLICATIONS ·High power switching applications. ·Hammer drive, pulse motor drive applications. 文件：125.32 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
2SB1020 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-220Fa package ? High DC current gain ? Low saturation voltage ? Complement to type 2SD1415 APPLICATIONS ? High power switching applications ? Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：150.66 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | JMNIC 錦美電子 | JMNIC | |
2SB1020 | Silicon PNP Darlingtion Power Transistor DESCRIPTION ? High DC C urrent Gain- : hFE= 2000(Min.)@lc=-3A ? Low Collector Saturation Voltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@lc=-3A ? Good Linearity of hFE ? Complement to Type 2SD1415 APPLICATIONS ? High power switching applications. ? Hammer drive, pulse motor drive applications. 文件：123.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司 | NJSEMI | |
2SB1020 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-220Fa package ? High DC current gain ? Low saturation voltage ? Complement to type 2SD1415 APPLICATIONS ? High power switching applications ? Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：128.81 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2SB1020 | Silicon PNP Power Transistors 文件：130.43 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2SB1020 | Power transistor for low frequency applications Polarity：PNP\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Not available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -7 A \nCollector power dissipation PC 30 W \nCollector power dissipation PC 2.0 W \nCollector-emitter voltage VCEO -100 V ; | Toshiba 東芝 | Toshiba | |
TRANSISTOR (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS) High-Power Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications ? High DC current gain: hFE= 2000 (min) (VCE= ?3 V, IC= ?3 A) ? Low saturation voltage: VCE (sat)= ?1.5 V (max) (IC= ?3 A) ? Complementary to 2SD1415A 文件：204.14 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | ||
Silicon PNP Power Transistors 文件：150.66 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | JMNIC 錦美電子 | JMNIC | ||
Silicon PNP Power Transistors 文件：150.66 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | JMNIC 錦美電子 | JMNIC | ||
Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington Power) 文件：152.66 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
7A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SA1719,2SB791,2SB886,2SB1099,2SB1108,2SB1228,2SB1283,2SB1344,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍數(shù)：
β=2000-15000
- 圖片代號：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
7
- wtest：
30
技術參數(shù)
- Product Category：
Power transistor for low frequency applications
- Package name(Toshiba)：
TO-220NIS
- Recommended Product 1：
TTB1020B(Package and characteristics are almost same)
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
24+ |
TO-220FA |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
TOS |
24+ |
原廠封裝 |
5500 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
TOS |
16+ |
TO-220 |
100000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
2447 |
TO-22O |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TO-220F |
5000 |
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳 |
詢價 | ||
TOS |
23+ |
TO |
20000 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | ||
PANASONIC |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
24+ |
DIP |
37500 |
原裝正品現(xiàn)貨,價格有優(yōu)勢! |
詢價 |
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- PERICOMPI7C8150
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