絲?。?strong>2SAR583D3；Package：TO-252；PNP -7A -50V Power Transistor

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ROHM

羅姆

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-emitter breakdown voltage : BVCEO= -50V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 180-450@ (VCE= -3V, IC= -1A) ·Low Saturation Voltage : VCE(sat)= -0.35V(Max)@ (IC= -3A, IB= -0.15A) ·Complement to Type 2SCR583D3 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance a

文件：332.58 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

絲?。?strong>2SAR583D3；Package：TO-252；PNP -7A -50V Power Transistor

Features 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary NPN Types : 2SCR583D3 FRA. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-3A/-150mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER

文件：1.636 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages

ROHM

羅姆

PNP -7A -50V 車載用功率晶體管

低VCE(sat)功率晶體管。適合低頻放大用途。 ? Suitable for Power Driver.\n? Complementary NPN Types : 2SCR583D3\n? Low VCE(sat): VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-3A/-150mA);

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羅姆

PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, 車載用 功率晶體管 (符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn))

2SAR583D3FRA是一款低VCE(sat)的功率晶體管，是非常適用于低頻放大應(yīng)用的車規(guī)級高可靠性晶體管。 ? Suitable for Power Driver.\n? Low VCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-3A/-150mA);

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羅姆

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO

ROHM

羅姆

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 50V 7A TO252

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羅姆