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2SA966T	文件：962.18 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features Complementary to 2SC2236T Applications AF power amplifier applications. 文件：962.18 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍箭電子	FOSHAN
2SA966	文件：958.99 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package. Features Complementary to 2SC2236 and 3 Watts output applications. Applications AF power amplifier applications. 文件：958.99 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍箭電子	FOSHAN
2SA966	文件：64.67 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURE Power dissipation PCM : 0.9 W(Tamb=25℃) Collector current ICM : -1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.67 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TEL	TEL
2SA966	文件：120.93 Kbytes Page：4 Pages	Audio Power Amplifier Applications 文件：120.93 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

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