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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA812K	文件：243.83 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Transistor FEATURES ? Complementary to 2SC1623K ? High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6V, IC = -1mA) ? High Voltage: VCEO = -50V 文件：243.83 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA812K_15	文件：249.25 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Transistor 文件：249.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA812K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor	Secos 喜可士	Secos
2SA812Q	文件：826.89 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors FEATURE ● High Voltage: VCEO = -50 V. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: 2SC1623 ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified 文件：826.89 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	YEASHIN 亞昕科技	YEASHIN
2SA812R	文件：826.89 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors FEATURE ● High Voltage: VCEO = -50 V. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: 2SC1623 ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified 文件：826.89 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	YEASHIN 亞昕科技	YEASHIN
2SA812S	文件：826.89 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors FEATURE ● High Voltage: VCEO = -50 V. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: 2SC1623 ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified 文件：826.89 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	YEASHIN 亞昕科技	YEASHIN

技術(shù)參數(shù)

Type：
PNP
PD (mW)：
200
VCBO (V)：
-60
VCEO (V)：
-50
IC (mA)：
-100
hFE_Min/Max：
90/600
hFE_IC(mA)/VCE(V)：
-1/-6.0
VCE(sat)(V)：
-0.3
VCE(sat)_IC/IB(mA)：
100/10
fT (MHz)：
180
Package：
SOT-23

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更多2SA812K供應商更新時間2026-1-19 11:02:00

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