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首頁 >2SA733>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA733	文件：69.04 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SA733 is designed for use in driver state of AF amplifier. FEATURES ● High hFE and Excellent Linearity : 200 TYP. hFE (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) 文件：69.04 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SA733	文件：129.3 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier Features ? This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. ? Sourced from Process 68. 文件：129.3 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
2SA733	文件：410.6 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SA733 is designed for use in diver stage of AF amplifier. FEATURES ? High hFE and Excellent Linearity: 200 TYP. hFE (VCE = ?6.0 V, IC = ?1.0 mA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Maximum Temperature Storage Temperature ?55 to +150°C Junction Temperature +150°C Maximum Maximum Powe 文件：410.6 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SA733	文件：227.04 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/cs/marking.html">CS；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Excellent hFE Linearity. ● Power dissipation： PD=250mW. ● High hFE. APPLICATIONS ● Designed for use in driver stage of amplifier. 文件：227.04 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
2SA733	文件：798.92 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation 文件：798.92 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	DAYA 大亞電器	DAYA
2SA733	文件：215.19 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in driver stage of AF amplifier applicatioms. 文件：215.19 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SA733	文件：1.13585 Mbytes Page：2 Pages	Collector-Base Voltage: VCBO=-60V Features ● Collector-Base Voltage: VCBO=-60V 文件：1.13585 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA733	文件：284.51 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ? Complementary of the 2SC945 ? Collector to base voltage: -60V 文件：284.51 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA733	文件：51.13 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2SA733 is designed for use in driver stage of AF amplifier applications.. 文件：51.13 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TGS	TGS
2SA733	文件：1.60177 Mbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/cs/marking.html">CS；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Excellent hFE Linearity. ● Power dissipation： PD=250mW. ● High hFE. APPLICATIONS ● Designed for use in driver stage of amplifier. 文件：1.60177 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	LUGUANG 魯光電子	LUGUANG

晶體管資料

型號(hào)：
2SA733
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
通用型（Uni）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
180MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BC177,BC204,BC212,BC213,BC251,BC257,BC307,BC513,BC557,3CG120C,3CG4312,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-20
vtest：
60
htest：
180000000
atest：
0.1
wtest：
0.25

技術(shù)參數(shù)

VCEO (V)：
50
hFE min.：
90
hFE max.：
600
Pc (W)：
0.25
Production Status：
EOL
Downloadable：
SPICE

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多2SA733供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-17 20:25:00

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