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首頁 >2SA1585>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1585	文件：1.52492 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low VCE(sat) ● Excellent DC current gain characteristics. Power dissipation 文件：1.52492 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SA1585	文件：1.51029 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat) Excellent DC current gain characteristics. Power dissipation 文件：1.51029 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SA1585	文件：981.27 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. Features Low VCE(sat),Excellent current gain characteristics; complementary pair with 2SC4115. Applications Low Frequency Amplifier. 文件：981.27 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍(lán)箭電子	FOSHAN
2SA1585	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶體管	JSCJ 長晶科技	JSCJ
2SA1585E	文件：224.16 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION PNP Epitaxial planar type Silicon Transistor FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.2V (Typ.)(IC/IB =-2A/-0.1A) APPLICATION Excellent current gain characteristics For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM, DVD-ROM, Note book PC, etc.) 文件：224.16 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SA1585S	文件：64.09 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PD : 0.4W (Tamb=25℃) Collector current I CM : -2A Collector-base voltage V(BR)CBO : -20V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.09 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TEL	TEL
2SA1585S	文件：132.01 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PD : 0.4W (Tamb=25℃) Collector current I CM : -2A Collector-base voltage V(BR)CBO : -20V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：132.01 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1585S	文件：836.08 Kbytes Page：3 Pages	TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEA TURES ● Low VCE(sat). ● Excellent DC current gain characteristics. ● Power dissipation 文件：836.08 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SA1585S	文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = ?0.2V (Typ.) (IC/IB = ?2A / ?0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：72.21 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
2SA1585S	文件：55.9 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features ? Halogen free available upon request by adding suffix -HF ? Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ? Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating ? Moisture Sensitivity Level 1 ? Power dissipation: PD = 0.4W(Tamb=25°C) ? Colle 文件：55.9 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	MCC	MCC

晶體管資料

型號(hào)：
2SA1585(S)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
通用型（Uni）_LO_SAT
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
240MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SA1282A,2SA1297,2SB738,2SB739,2SB822,2SB892,2SB911,2SB926,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
G-224
vtest：
20
htest：
240000000
atest：
2
wtest：
0.4

技術(shù)參數(shù)

PCM(W)：
0.35
IC(A)：
2
VCBO(V)：
20
VCEO(V)：
20
VEBO(V)：
6
hFEMin：
120
hFEMax：
560
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.2
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
SOT-23

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SA1585	CJ/長電	25+	SOT-23	32360	CJ/長電全新特價(jià)2SA1585即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SA1585		24+		2000	全新	詢價(jià)
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深圳市凌旭科技有限公司	2SA1585	ROHM	2016+	SOT-89	3000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
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瀚佳科技(深圳)有限公司	2SA1585	ROHM	24+	SOT-89	65200	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	2SA1585	CJ(江蘇長電/長晶)	2447	SOT-23(SOT-23-3)	105000	3000個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SA1585	CJ/長電	23+	SOT-89	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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更多2SA1585供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 17:06:00

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