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|---|---|---|---|---|
TRANSISTOR (STROBO FLASH MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications ? High DC current gain and excellent hFE linearity : hFE (1) = 140~600 (VCE = ?1 V, IC = ?0.5 A) : hFE (2) = 60 (min), 120 (typ.) (VCE = ?1 V, IC = ?4 A) ? Low saturation voltage: VCE (sat) = ?0.5 V (max) (IC = ?2 A, IB = ? 文件：153.26 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | TOSHIBA 東芝 | TOSHIBA | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXAL TYPE DESCRIPTION * Strobo Flash Applications. * Medium Power Amplifier Applications. FEATURES * High DC Current Gain and Excellent hFELinearity. * hFE(1)=140-600, (VCE= -1V,IC= -0.5A) * hFE(2)=60(Min.),120(Typ.),(VCE= -1V,IC= -4A) * Low Saturation Voltage * VCE (SAT 文件：110.02 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | UTC 友順 | UTC | ||
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use Strobe flash and medium power amplifier applications. Pinning 1 = Emitter 2 = Collector 3 = Base 文件：213.4 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | DCCOM 道全 | DCCOM | ||
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC Current Gain and Excellent hFE Linearity ● Low Saturation Voltage 文件：883.35 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | JIANGSU 長電科技 | JIANGSU | ||
PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ? High DC Current gain and excellent hFE linearity ? Low Saturation Voltage 文件：401.06 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SECOS 喜可士 | SECOS | ||
TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC Current gain and excellent hFE linearity ● Low saturation voltage 文件：246.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | KOOCHIN 灝展電子 | KOOCHIN | ||
Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. Features High DC current gain, excellent hFE linearity, low saturation voltage Applications Strobo flash, medium power amplifier applications. 文件：1.16929 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages | FOSHAN 藍箭電子 | FOSHAN | ||
Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -2 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -20 V Operating and storage junction temperature range TJ : 150℃ Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.69 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | TEL | TEL | ||
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TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -2 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -20 V Operating and storage junction temperature range TJ : 150℃ Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：134.32 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | WINNERJOIN 永而佳 | WINNERJOIN |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
80MHZ
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
BC212,BC257,BC307,BC557,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
60
- htest：
80000000
- atest：
0.1
- wtest：
0.3
技術參數(shù)
- PCM(W)：
0.3
- IC(A)：
0.1
- VCBO(V)：
60
- VCEO(V)：
50
- VEBO(V)：
7
- hFEMin：
160
- hFEMax：
460
- hFE@VCE(V)：
10
- hFE@IC(A)：
0.002
- VCE(sat)(V)：
0.3
- VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.05
- VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.005
- Package：
TO-92S
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PNPECB |
24+ |
TO-92S |
20000 |
詢價 | |||
PAN |
23+ |
NA |
76486 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
長電 |
25+23+ |
TO-92S |
23923 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
CJ/長電 |
21+ |
TO-92S |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
CJ/長電 |
26+ |
原廠原封裝 |
86720 |
全新原裝正品價格最實惠 假一賠百 |
詢價 | ||
PANASONIC |
TO-92S(TP |
8560 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
CJ/長電 |
22+ |
TO-92S |
15240 |
原裝正品 |
詢價 | ||
PANASONIC/松下 |
25+ |
TO-92S(TP) |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
長電 |
2015 |
TO-92S |
54000 |
詢價 | |||
CJ/長電 |
24+ |
TO-92S |
50000 |
只做原裝，歡迎詢價，量大價優(yōu) |
詢價 |
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