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首頁 >2SA1225>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1225	文件：148.56 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ? High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) ? Complementary to 2SC2983 文件：148.56 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：150.83 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ? High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) ? Complementary to 2SC2983 文件：150.83 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：303.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.1A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC2983 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：303.55 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SA1225	文件：322.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.1A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC2983 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：322.58 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SA1225	文件：150.83 Kbytes Page：4 Pages	Driver Stage Amplifier Applications Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ? High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) ? Complementary to 2SC2983 文件：150.83 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 頁數(shù)：73 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：243.24 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：243.24 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SA1225	文件：1.16692 Mbytes Page：4 Pages	TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.16692 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SA1225	文件：163.16 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications 文件：163.16 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Driver / Power amplifier\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SC2983\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -1.5 A \nCollector power dissipation PC 15 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO -160 V ;	Toshiba 東芝	Toshiba

晶體管資料

型號：
2SA1225
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質：
低頻或音頻放大（LF）_開關管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
160V
最大電流允許值：
1.5A
最大工作頻率：
100MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SA1552,2SB768,2SB840,2SB841,2SB842,2SB1275,
最大耗散功率：
15W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-77
vtest：
160
htest：
100000000
atest：
1.5
wtest：
15

技術參數(shù)

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-160
IC(Max)(A)：
-1.5
hFE(Min)：
70
hFE(Max)：
240
VCE(sat)(Max)(V)：
-1.5
fT(Typ.)(MHz)：
100
ComplementaryProduct：
2SC2983
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
New PW-Mold
Width×Length×Height(mm)：
6.5 x 9.5 x 2.3

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金華微盛電子有限公司	2SA1225	CJ	19+	TO-252	15000		詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SA1225	TOSHIBA/東芝	2450+	TO-251	9850	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價
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更多2SA1225供應商更新時間2026-1-19 16:05:00

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