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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1179	文件：169.43 Kbytes Page：4 Pages	2SA1179 PNP/NPN Transistor Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features ? Miniature package facilitates miniaturization in end products. ? High breakdown voltage. 文件：169.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1179	文件：159.67 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/m/marking.html">M；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity. ● High speed switching. ● Complementary to 2SD1749. APPLICATIONS ● For power application and switching. 文件：159.67 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
2SA1179	文件：366.4 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ? High breakdown voltage 文件：366.4 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HTSEMI 金譽半導(dǎo)體	HTSEMI
2SA1179	文件：58.48 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES ? High breakdown voltage 文件：58.48 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SA1179	文件：37.1 Kbytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Features ● High breakdown voltage 文件：37.1 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA1179	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2SA1179	文件：185.2 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ? High breakdown voltage 文件：185.2 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1179	文件：1.08632 Mbytes Page：2 Pages	絲印：M；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity. ● High speed switching. ● Complementary to 2SD1749. APPLICATIONS ● For power application and switching. 文件：1.08632 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages	LUGUANG 魯光電子	LUGUANG
2SA1179	文件：1.71063 Mbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/m/marking.html">M；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES . High breakdown voltage 文件：1.71063 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SA1179	文件：285.77 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High breakdown voltage 文件：285.77 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH

晶體管資料

型號：
2SA1179
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_通用型（Uni）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
55V
最大電流允許值：
0.15A
最大工作頻率：
180MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC856,BC857,BCW69,BCW70,BCW89,BCX71,2SA1312,3CG120B,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
55
htest：
180000000
atest：
0.15
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

PCM(W)：
0.2
IC(A)：
0.15
VCBO(V)：
55
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
200
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
6
hFE@IC(A)：
0.001
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.05
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.005
Package：
SOT-23

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2SA1179供應(yīng)商更新時間2026-1-20 14:14:00

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